[发明专利]一种对称多层多频段天线罩结构及制备方法

权利要求书

1.一种对称多层多频段天线罩结构,其特征是，所述天线罩结构由大于或等于五的奇数层介电层构成；所述的介电层由中间介电层和非中间介电层组成；所述的中间介电层介电常数最高。

2.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述中间介电层的厚度根据实际服役环境对其力学性能的要求进行设计。

3.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述的中间介电层的厚度在结构电信设计频率的一倍波长以内的范围选取。

4.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述的非中间介电层在中间介电层两边对称分布，其介电常数和电气厚度按照四分之一波长阻抗变换器进行设计。

5.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述的天线罩结构的电信设计频率可以任意选取，其通频带的中心频率为结构电信设计频率的奇数倍。

6.如权利要求1所述的天线罩结构，其特征是，所述的中间介电层材料为致密氮化硅陶瓷；所述的非中间介电层的构成材料为多孔氮化硼陶瓷、多孔氮化硅陶瓷或者陶瓷基复合材料中的一种或者几种组合。

7.一种对称多层多频段天线罩结构的制备方法，包括如下步骤：

（1）根据需要选取结构电信设计频率f；

（2）选择具有合适厚度和合适介电常数的中间介电层材料；

（3）按照四分之一波长阻抗变换器的设计方法，分别选取合适介电常数的材料作为非中间介电层，所述非中间介电层至少包括两层，并且各层在中间介电层两边对称分布；所述的非中间介电层的厚度均按照材料中频率f电磁波的波长的四分之一进行设计；

（4）将各层之间用粘接剂粘结在一起，形成对称多层多频段天线罩结构。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征是，所述的中间介电层的厚度在结构电信设计频率的一倍波长以内的范围选取。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征是，所述的中间介电层材料为致密氮化硅陶瓷；所述的非中间介电层的构成材料为多孔氮化硼陶瓷、多孔氮化硅陶瓷或者陶瓷基复合材料中的一种或者几种组合。

10.如权利要求7所述的制备方法，其特征是，其特征是，所述的电信设计频率f可以任意选取，其通频带的中心频率为结构电信设计频率的奇数倍。