[发明专利]抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法

权利要求书

1.一种用于化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述抛光液包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：

所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为20~50nm，PH值为9.5；

所述精抛的抛光液包括：纳米磨料1~5wt%，氧化剂为0.5~1.5wt%，表面活性剂0.01wt%，PH调节剂，余量为去离子水，粒度为10~30nm，PH值为9.5。

2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述纳米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化铈的混合物，当所述纳米磨料为二氧化硅和氧化铈时，二氧化硅与氧化铈的重量比例大于4:1。

3.根据权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，PH值调节剂包括无机溶液和有机溶液，其中，所述无机溶液与所述有机溶液体积比1：1~5，所述无机溶液为氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或两种，所述有机溶液为三异丙醇胺和三乙醇胺中的一种或两种混合物。

4.根据权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，所述氧化剂为次氯酸钠或者是次氯酸钠和双氧水的混合物，当所述氧化剂为次氯酸钠和双氧水的混合物时，次氯酸钠与双氧水的体积比例大于5:1。

5.根据权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，所述表面活性包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一种或多种混合物。

6.一种应用上述任意一种所述的抛光液对CdS晶片进行化学机械抛光的方法，其特征在于，该方法包括：对待抛光的CdS晶片利用粗抛抛光液进行粗抛，以及对粗抛后的CdS晶片利用精抛抛光液进行精抛；

其中，进行粗抛抛光和精抛抛光时，抛光压力为60~120g/cm²，转速60~100转/分钟，对应抛光液的流量5~100ml/min。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述粗抛的抛光液的流量为50~100ml/min。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述精抛的抛光液的流量为5~10ml/min。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述精抛和粗抛的抛光垫采用为FIWEL N0054型合成革抛光垫。