[发明专利]一种外延标记及其相应的制作方法

权利要求书

1.一种外延标记制作方法，包括如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上生长第一氧化层；

在所述第一氧化层上覆盖第一光刻胶，以所述第一光刻胶为掩膜，通过光刻工艺在所述第一光刻胶中形成埋层窗口，同时形成埋层光刻标记；

在所述埋层窗口内去除所述第一氧化层，暴露出所述衬底，在暴露出的所述衬底上形成埋层区域，并向所述埋层区域进行离子注入；

去除所述第一光刻胶，对所述埋层区域进行退火工艺，在对应所述埋层区域部分的所述衬底上由下至上依次形成第一消耗层和埋层氧化层，在对应所述埋层区域外的所述衬底上由下至上依次形成第二消耗层和第二氧化层，且所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记处形成的台阶差作为光刻对准标记；

在所述埋层氧化层及与埋层氧化层相邻的部分第一氧化层上覆盖第二光刻胶，以所述第二光刻胶为掩膜，由上至下依次刻蚀，暴露出所述衬底，形成打开口，去除所述第二光刻胶，暴露出所述第一氧化层，以使所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度；

在所述打开口采用外延生长工艺形成外延层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度的1.5倍。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于双极型电路所用的衬底为<111>晶向的P型半导体衬底。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述埋层窗口内刻蚀去除所述第一氧化层的方法为干法刻蚀。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入的材料为锑或砷，所述离子注入剂量为1E14～1E16。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述退火工艺下形成厚度为的所述埋层氧化层后，停止所述退火工艺。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述退火工艺采用的参数为：退火温度为1150～1250度，退火气氛为氮气，生长所述埋层氧化层的气氛为干氧或氮氧。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光刻对准标记包括对位标记、线宽测试标记、对位检查标记和游标检查标记中的一种或任意组合。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延生长工艺采用的参数为：掺杂气体为二氯硅烷和磷化氢气体，淀积温度为1050～1200℃，淀积速率为0.35um/min～0.45um/min。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述外延层的厚度为1um～100um。

12.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述外延生长工艺后，再生长光刻层，所述光刻层的数目为n时，留有的埋层光刻标记的数目可以大于等于n。

13.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，对需要生长的任意一个光刻层或所有光刻层留有至少一所述光刻对准标记。

14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，生成的各光刻层利用所述光刻对准标记，对光刻场偏、光刻线宽进行检查和/或测量。

15.一种外延标记，包括：

衬底；

埋层光刻标记，形成在所述衬底上；

第一消耗层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述衬底中；

埋层氧化层，形成在所述第一消耗层上；

第二消耗层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述衬底中且包围所述的第一消耗层，其中，所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记边界相接处形成台阶差作为光刻对准标记；

第二氧化层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述第二消耗层上；

第一氧化层，以所述埋层光刻标记为边界形成在所述第二氧化层上；

外延层，形成在所述衬底之上，位于所述第二消耗层、第二氧化层和第一氧化层与衬底边沿之间的打开口处。

16.如权利要求15所述的外延标记，其特征在于，所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度的1.5倍。