[发明专利]一种阶段性电镀工艺电镀铜方法

权利要求书

1.一种阶段性电镀工艺电镀铜方法，其特征在于，该方法采用阶段性电镀工艺和与该工艺相适应的电镀液进行处理，在不同的电流密度、硅片旋转速度、电镀液流速以及硅片工艺位置条件下分阶段进行电镀工艺处理；

所述电镀液，包括：硫酸铜为50～200克/升，硫酸为50～220克/升，氯离子为10～150毫克/升，抑制剂为5～200毫克/升，加速剂为5～50毫克/升，整平剂为0.5～20毫克/升，其余为去离子水；

所述阶段性电镀工艺处理中的每个处理阶段的工艺条件为：硅片工艺位置：2～10毫米，电流密度：0.2～8安培/平方分米，硅片旋转速度：5～50转/分钟，电镀液流速：4～20升/分钟，时间：3～500秒。

2.如权利要求1所述的电镀铜方法，其特征在于，所述阶段性电镀工艺处理分包括两个处理阶段，分别为初始阶段以及最终阶段。

3.如权利要求2所述的电镀铜方法，其特征在于，所述初始阶段的硅片位置高于所述最终阶段的硅片位置，所述初始阶段的硅片旋转速度低于所述最终阶段的硅片旋转速度，所述初始阶段的电镀液流速低于所述最终阶段的电镀液流速，所述初始阶段的电流密度低于所述最终阶段的电流密度。

4.如权利要求3所述的电镀铜方法，其特征在于，所述初始阶段的工艺条件具体为：

时间：10～50秒，电流密度：0.8～3安培/平方分米，硅片旋转速度：5～30转/分钟，电镀液流速：4～10升/分钟，硅片工艺位置：5～10毫米。

5.如权利要求3所述的电镀铜方法，其特征在于，所述最终阶段的工艺条件具体为：

时间：30～500秒，电流密度：3～8安培/平方分米，硅片旋转速度：30～50转/分钟，电镀液流速：10～20升/分钟，硅片工艺位置：2～5毫米。

6.如权利要求3所述的电镀铜方法，其特征在于，所述阶段性电镀工艺处理还包括一过渡阶段，所述过渡阶段位于所述初始阶段与所述最终阶段之间，所述过渡阶段的电流密度低于所述初始阶段的电流密度，所述过渡阶段的硅片位置、硅片旋转速度以及电镀液流速与所述最终阶段的硅片位置、硅片旋转速度以及电镀液流速相同。

7.如权利要求6所述的电镀铜方法，其特征在于，所述过渡阶段的工艺条件具体为：

时间：3～10秒，电流密度：0.2～0.8安培/平方分米，硅片旋转速度：30～50转/分钟，电镀液流速：10～20升/分钟，硅片工艺位置：2～5毫米。