[发明专利]脉冲激光沉积制备片状纳米氧化钴阵列电极材料的方法及其应用无效
| 申请号： | 201210444498.1 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102965625A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王雪峰;王雅兰;王欢文 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200092 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 沉积 制备 片状 纳米 氧化钴 阵列 电极 材料 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种脉冲激光沉积制备片状纳米氧化钴阵列电极材料的方法，其特征在于具体步骤如下：
（1）将纯度为99.99%的钴靶和铝靶以及基片分别放置于真空室内，调节基片与钴靶和铝靶的距离为3cm，利用机械泵和涡轮分子泵将真空室抽至压力为10-4Pa，通入由氧气与氢气组成的混合气体，再将基片加热到240-260℃；
（2）开启Nd:YAG脉冲激光器，利用分光镜将激光分为两束光，并通过透镜分别聚焦到钴靶和铝靶上，沉积110-130min后得到Co、Al双金属氧化物薄膜；
（3）取出基片，将其浸于NaOH溶液中静置8-10小时，除去其中的氧化铝，即可得到片状纳米氧化钴阵列薄膜，干燥后，进行表征和电化学性能测试。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)中所述的氧气与氢气的体积比为1：1-2：1。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中所述NaOH溶液为3M NaOH溶液。
4.一种如权利要求1所述方法制备得到的片状纳米氧化钴阵列电极应用于超级电容器电极材料。
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