[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；

在所述半导体基底上形成钝化层，所述钝化层具有暴露焊盘表面的第一开口；

在所述焊盘上的形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；

在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度为本体高度的0.5%~99.9%。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的数量为1个，所述凹槽的半径为柱状电极本体半径的1%~99%。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的数量大于1个，凹槽在本体中独立分布。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽在本体中呈直线分布、矩阵分布、同心圆分布、同心圆环分布、多边形分布或者不规则分布。

6.如权利要求3或4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述柱状电极的形成方法为：在所述第一开口的侧壁和底部以及钝化层的表面形成种子层；在所述种子层表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有与第一开口对应的第二开口；采用电镀工艺在所述第一开口和第二开口中填充满金属，形成柱状电极的本体；去除所述第一光刻胶层；以所述柱状电极为掩膜去除钝化层上的部分种子层；在所述钝化层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层中具有暴露柱状电极本体表面的至少一个第三开口；沿第三开口刻蚀去除部分厚度的所述柱状电极的本体，在本体中形成至少一个凹槽，所述本体和凹槽构成柱状电极。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法的形成方法，其特征在于，从凹槽的开口到底部，所述凹槽的宽度逐渐减小。

8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述柱状电极的本体的材料为铜，刻蚀柱状电极的本体的工艺为等离子体刻蚀或湿法刻蚀。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子刻蚀采用的气体为氯气，所述湿法刻蚀采用的溶液为稀释的硫酸溶液或双氧水与硫酸的混合溶液。

10.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层的表面与柱状电极的本体的顶部表面平齐，第一绝缘层与柱状电极的外侧侧壁相接触。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在本体中形成至少一个凹槽后，去除所述第二光刻胶层；将印刷网板或不锈钢板置于第一绝缘层表面，所述印刷网板或不锈钢板具有暴露所述柱状电极的本体和通孔以及环形刻蚀凹槽的第四开口；采用网板印刷工艺在第四开口和凹槽中填充满焊锡膏；移除所述印刷网板或不锈钢板，对所述焊锡膏进行回流工艺，在柱状电极的本体顶部上形成金属凸头，在凹槽中形成填充部，金属凸头和填充部构成凹槽。

12.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层的表面低于柱状电极的本体的顶部表面，第一绝缘层和本体的外侧侧壁之间具有第一环形刻蚀凹槽，第一环形刻蚀凹槽暴露出部分钝化层的表面。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在本体中形成至少一个凹槽后，去除所述第二光刻胶层；将印刷网板或不锈钢板置于第一绝缘层表面，所述印刷网板或不锈钢板具有暴露柱状电极本体的顶部表面和本体中的凹槽以及第一环形刻蚀凹槽的第五开口；采用网板印刷工艺在第五开口、凹槽和第一环形刻蚀凹槽中填充满焊锡膏；移除所述印刷网板或不锈钢板，对所述焊锡膏进行回流工艺，在柱状电极的本体顶部上形成金属凸头，在凹槽中形成填充部，在本体的外侧侧壁上形成裙带部，裙带部的上部分与金属凸头连接，裙带部的下部分与柱状电极两侧的部分钝化层相连接，并与第一环形刻蚀凹槽的侧壁相接触，所述裙带部的下部分的宽度大于上部分的宽度，裙带部的下部分的表面低于第一绝缘层的表面或与第一绝缘层的表面平齐或者高于第一绝缘层的表面，金属凸头、填充部和裙带部构成凹槽。