[发明专利]半导体器件的封装方法有效
| 申请号： | 201210444454.9 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931110A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;王洪辉 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 方法 | ||
1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：
提供表面具有焊盘的芯片；
形成位于所述芯片表面的钝化层和凸点，所述钝化层具有暴露出部分焊盘的开口，所述凸点位于所述开口内、且其尺寸小于所述开口的尺寸；
形成覆盖所述凸点表面、且覆盖开口底部焊盘表面的焊球。
2.如权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，还包括：在形成焊球前，形成覆盖所述凸点表面的防扩散层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述防扩散层还覆盖开口底部的焊盘。
4.如权利要求3所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述防扩散层的形成工艺为化学镀工艺，所述防扩散层的材料为镍。
5.如权利要求2所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述防扩散层的厚度为0.05微米-10微米。
6.如权利要求2所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述防扩散层的厚度为1微米-3微米。
7.如权利要求2或3所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述防扩散层的浸润层。
8.如权利要求7所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述浸润层的形成工艺为化学镀工艺，所述浸润层的材料中至少包括锡元素、金元素或银元素。
9.如权利要求7述的半导体器件的封装方法，其特征在于，浸润层的厚度为0.05微米-3微米。
10.如权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述凸点的形成工艺为引线键合工艺。
11.如权利要求10所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，形成的凸点包括多个堆叠的子凸点，且每进行一次引线键合工艺后，对形成的多个子凸点进行压平。
12.如权利要求11所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，形成的凸点包括多个堆叠的子凸点，位于顶部的子凸点包括子凸点本体和位于所述子凸点本体表面的子凸点尾部。
13.如权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述凸点的材料为铜、金、银、铜合金、金合金或银合金，所述焊球的材料为锡或锡合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
