[发明专利]GOI_TDDB测试电路结构有效
| 申请号： | 201210442011.6 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811466A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 牛刚;刘竞文;于建姝;赵晓东;段晓博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | goi_tddb 测试 电路 结构 | ||
1.一种GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于，所述GOI_TDDB测试电路结构包括：
衬底；
多个栅氧层，形成于所述衬底上，所述栅氧层相互平行且呈指状分布；
多晶硅层，沉积于所述栅氧层上，所述多晶硅层相互平行且呈指状分布；
源极区和漏极区，分别位于最外侧栅氧层远离其他栅氧层的外侧衬底；
STI，形成于所述衬底中，位于各个栅氧层之间以及位于栅氧层、源极区和漏极区的外侧。
2.根据权利要求1所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于，所述GOI_TDDB测试电路结构还包括：
衬底表面区，位于STI远离源极区和漏极区的一侧。
3.根据权利要求1所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于，所述GOI_TDDB测试电路结构还包括：
形成于所述多晶硅层上的接触孔；以及
与所述接触孔电连接的金属线层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于：所有栅氧层的宽度均相等。
5.根据权利要求4所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于：相邻栅氧层之间的STI的宽度等于所述栅氧层的宽度。
6.根据权利要求1至3任一项所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于：
所述源极区的宽度大于等于1.3um，所述漏极区的宽度大于等于1.3um，所述源极区和漏极区的宽度相等。
7.根据权利要求1至3任一项所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于：所有栅氧层的总面积为10um×10um、1um×0.08um或者3.6um×3.6um。
8.根据权利要求1至3任一项所述的GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于：所述衬底为N型衬底或者P型衬底。
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