[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 201210441852.5 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094379A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 余文怀;许松林;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/036 | 分类号： | H01L31/036;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含： 一硅晶圆，包含多个硅晶粒且具有一第一导电形态、一正表面以及一背表面，所述背表面与所述正表面相对，所述多个硅晶粒的优势晶向介于(001)与(111)之间，所述多个硅晶粒中具有优势晶向的硅晶粒占体积百分比高于50%； 一射极部，具有一第二导电形态且形成在所述硅晶圆内； 一正电极，形成在所述硅晶圆的所述正表面上；以及 一背电极，形成在所述硅晶圆的所述背表面上。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电形态为p形态，且所述第二导电形态为n形态。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电形态为n形态，且所述第二导电形态为p形态。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，进一步包含：一钝化层，形成以被覆所述射极部。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅晶圆内缺陷密度沿着一垂直方向的增率为0.01%/mm~10%/mm。
6.一种太阳能电池，其特征在于，包含： 一硅晶圆，包含多个硅晶粒且具有一第一导电形态、一正表面以及一背表面，所述背表面与所述正表面相对，所述多个硅晶粒的优势晶向介于(001)与(111)之间，所述多个硅晶粒中具有优势晶向的硅晶粒占体积百分比高于70%； 一射极部，具有一第二导电形态且形成在所述硅晶圆内； 一正电极，形成在所述硅晶圆的所述正表面上；以及 一背电极，形成在所述硅晶圆的所述背表面上。
7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电形态为p形态，且所述第二导电形态为n形态。
8.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电形态为n形态，且所述第二导电形态为p形态。
9.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，进一步包含：一钝化层，形成以被覆所述射极部。
10.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅晶圆内缺陷密度沿着一垂直方向的增率为0.01%/mm~10%/mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
