[发明专利]硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆

权利要求书

1.一种硅晶铸锭，具有一底部以及一垂直方向，其特征在于，所述硅晶铸锭包含沿所述垂直方向成长的多个硅晶粒以及一设置在所述底部的一成核促进层，且紧邻所述成核促进层的硅晶粒的平均晶粒尺寸为小于10mm。

2.如权利要求1所述的硅晶铸锭，其特征在于，所述硅晶铸锭内缺陷密度沿着所述垂直方向的增率为0.01%/mm~10%/mm。

3.如权利要求1所述的硅晶铸锭，其特征在于，所述成核促进层由多个具有不规则形状的结晶颗粒所构成，且每一结晶颗粒的颗粒尺寸为小于50mm。

4.如权利要求3所述的硅晶铸锭，其特征在于，所述多个结晶颗粒包含选自由一多晶硅颗粒、一单晶硅颗粒以及一单晶碳化硅颗粒所组成的群组中的其中之一。

5.如权利要求1所述的硅晶铸锭，其特征在于，所述成核促进层为一板体，所述板体由一熔点高于1400℃的材料形成，所述板体与所述多个硅晶粒接触的表面具有范围从300μm至1000μm的粗糙度，以提供所述多个硅晶粒多个成核点。

6.如权利要求1所述的硅晶铸锭，其特征在于，所述多个硅晶粒的优势晶向介于(001)与(111)之间，所述多个硅晶粒中具有优势晶向的硅晶粒占体积百分比高于50%。

7.如权利要求1所述的硅晶铸锭，其特征在于，所述多个硅晶粒的优势晶向介于(001)与(111)之间，所述多个硅晶粒中具有优势晶向的硅晶粒占体积百分比高于70%。

8.一种采用权利要求1所述的硅晶铸锭所制成的硅晶圆，具有多个硅晶粒，其特征在于，所述多个硅晶粒的优势晶向介于(001)与(111)之间，所述多个硅晶粒中具有优势晶向的硅晶粒占体积百分比高于50%。

9.一种采用权利要求1所述的硅晶铸锭所制成的硅晶圆，具有多个硅晶粒，其特征在于，所述多个硅晶粒的优势晶向介于(001)与(111)之间，所述多个硅晶粒中具有优势晶向的硅晶粒占体积百分比高于70%。