[发明专利]一种硅通孔结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210441411.5 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102938396A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡坚;李金睿;谭琳;王谦;陈瑜;王水弟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;南毅宁 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。
2.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其中，所述应力释放槽的数量为1个或多个。
3.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其中，所述应力释放槽的全部都不镀有金属。
4.根据权利要求1所述的硅通孔结构，其中，所述主体部分为圆柱形结构，且所述应力释放槽的宽度小于所述主体部分的直径。
5.根据权利要求4所述的硅通孔结构，其中，所述应力释放槽的宽度小至不能在该应力释放槽中镀金属。
6.一种制备硅通孔结构的方法，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，该方法包括：
在硅衬底上形成掩膜；
对所述掩膜进行光刻以暴露用于制备所述主体部分和所述应力释放槽的硅部分；
对所暴露的所述硅部分进行刻蚀以得到用于形成所述主体部分的孔和用于形成所述应力释放槽的孔；
对用于形成所述主体部分的孔进行抛光；以及
对抛光后的所述用于形成所述主体部分的孔镀金属。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述应力释放槽的数量为1个或多个。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，用于形成所述应力释放槽的孔中不镀有金属或者被部分镀有金属。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述主体部分为圆柱形结构，且所述应力释放槽的宽度小于所述主体部分的直径。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述应力释放槽的宽度小至不能在该应力释放槽中镀金属。
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