[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；

在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；

去除第二掩蔽层的一部分，所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个；以及

形成第一栅介质层、浮栅层、第二栅介质层，并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

形成第一掩蔽层的操作包括：

在衬底上形成第一子掩蔽层；以及

在第一子掩蔽层的侧壁上形成第一侧墙，

形成第二掩蔽层的操作包括：

在衬底上形成第二子掩蔽层，并去除第一子掩蔽层，

其中，第二子掩蔽层和第一侧墙两者形成所述第二掩蔽层，以及

去除第二掩蔽层的一部分的操作包括：

去除第一侧墙的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成第一侧墙的操作包括：

在第一子掩蔽层的侧壁上形成第一子侧墙；以及

在第一子侧墙的侧壁上形成第二子侧墙。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成第二掩蔽层的操作还包括：

在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙，所述第一侧墙夹于所述第二侧墙和第二子掩蔽层之间；

其中第二子掩蔽层、第一侧墙和第二侧墙一起形成所述第二掩蔽层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，去除第二掩蔽层的一部分的操作包括：

去除第二侧墙和第一子侧墙。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，

第一子掩蔽层包括氮化物，

第二子掩蔽层包括氧化物，

第一子侧墙包括多晶硅或非晶硅，

第二子侧墙包括氧化物，

第二侧墙包括氮化物。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：

以第一子掩蔽层为掩模，在衬底中形成超陡后退阱。

8.根据权利要求1所述的方法，其中

形成第二掩蔽层的操作包括：

在衬底上形成第二子掩蔽层，并去除第一掩蔽层的至少一部分；以及

在第二子掩蔽层或者在第一掩蔽层的剩余部分的侧壁上形成第一侧墙，

其中，第二子掩蔽层、可能的第一掩蔽层的剩余部分和第一侧墙一起形成所述第二掩蔽层，以及

去除第二掩蔽层的一部分的操作包括：

去除第一侧墙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中

形成第一掩蔽层的操作包括：

形成第一子掩蔽层；以及

在第一子掩蔽层的侧壁上形成第一子侧墙，

去除第一掩蔽层的至少一部分的操作包括：

去除第一子掩蔽层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成第一侧墙的操作包括：

在第一子侧墙的侧壁上形成第二子侧墙；以及

在第二子侧墙的侧壁上形成第三子侧墙。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

第一子掩蔽层包括氮化物，

第二子掩蔽层包括氧化物，

第一子侧墙包括氧化物，

第二子侧墙包括多晶硅或非晶硅，

第三子侧墙包括氮化物。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

以第二子掩蔽层和第一子侧墙为掩模，在衬底中形成超陡后退阱。

13.根据权利要1所述的方法，其中，

形成栅导体的步骤包括：

形成栅导体层；

在栅导体层上形成构图的掩模层，以至少覆盖所述栅导体层的一部分；以及

对栅导体层进行构图，以得到栅导体，

该方法还包括：以栅导体为掩模，至少对第二栅介质层和浮栅层进行构图，

其中，被掩模层覆盖的栅导体层部分构成所述侧墙形式的栅导体的横向延伸部分，所述横向延伸部分至少在横向上覆盖构图后的浮栅层。

14.根据权利要1所述的方法，其中，形成源区或漏区包括：

执行延伸区注入；和

执行源/漏注入。