[发明专利]使用NGO单晶基板制备a轴REBCO高温超导厚膜的方法

权利要求书

1.一种使用NGO单晶基板制备a轴REBCO高温超导厚膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 

(1)将BaCO₃粉末和CuO粉末进行配料，获得BaCO₃+CuO粉料，所述BaCO₃+CuO粉料中的Ba和Cu的摩尔比为0.3-0.8； 

(2)对步骤(1)所得的BaCO₃+CuO粉料进行预处理； 

(3)烧结步骤(2)预处理后的BaCO₃+CuO粉料，制得Ba-Cu-O粉末； 

(4)将步骤(3)所得的Ba-Cu-O粉末加入到RE₂O₃材料的坩埚中加热至第一温度，并继续保温，获得RE-Ba-Cu-O溶液； 

(5)步骤(4)所得的RE-Ba-Cu-O溶液冷却至第二温度； 

(6)使用NGO单晶基板作为籽晶，将所述NGO单晶基板的表面接触步骤(5)中冷却后RE-Ba-Cu-O溶液，采用顶部籽晶提拉法液相外延生长REBCO超导厚膜。 

2.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(2)所述的预处理包括以下工序： 

(a)对所述BaCO₃+CuO粉料进行湿磨以获得BaCO₃+CuO浆料，湿磨时间为2-4小时； 

(b)烘干工序(a)所得的BaCO₃+CuO浆料。 

3.如权利要求2所述的方法，其中，工序(a)所述的湿磨时，在所述BaCO₃+CuO粉料中加入的液体选自无水乙醇和水中的一种。 

4.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(3)所述的烧结为将经过所述预处理的所述BaCO₃+CuO粉料在890-910℃保温40-50小时。 

5.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(4)所述的第一温度为所述REBCO的包晶温度以上5-35℃。 

6.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(4)所述的保温的时间为20-24小时。 

7.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(5)所述的第二温度为所述REBCO的包晶温度以下40-70℃。 

8.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(5)所述的冷却速度为2-5℃/min。 

9.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(6)所述的顶部籽晶提拉法液相外延生长的工艺参数为：旋转速度为10-30rpm，生长时间为0.5-4min。 

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述的RE选自Y和Sm中的一种。