[发明专利]超级电容的充电装置无效
申请号: | 201210439153.7 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN102904320A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 李翠;封仕燕;王磊 | 申请(专利权)人: | 沈阳创达技术交易市场有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110167 辽宁省沈阳市东陵区白塔镇*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超级 电容 充电 装置 | ||
技术领域
本发明属于电器技术领域,特别涉及一种超级电容的充电装置。
背景技术
超级电容也叫做电化学电容器,具有性能稳定、使用寿命长等特点,近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势,很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向,超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明提供一种超级电容充电装置。
本发明的技术方案是这样实现的:该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容,微处理器与IGBT相连接,IGBT与直流电源和限流电阻相连接,直流电源和超级电容相连接,超级电容和限流电阻相连接。装置工作时,微处理器发出控制信号,IGBT导通,直流电源开始对超级电容充电,充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。
本发明的优点:该超级电容充电装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
附图说明
图1为本发明超级电容充电装置结构图。
具体实施方式
本发明的详细结构结合实施例加以说明。
该超级电容充电装置结构如图1所示,IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877A,限流电阻选择RXG20-F型线绕电阻。
该超级电容充电装置由微处理器(PIC16F877A)、直流电源、IGBT(1MBI200L-120)、限流电阻(RXG20-F型线绕电阻)和超级电容组成,微处理器PIC16F877A与IGBT相连接,IGBT1MBI200L-120与直流电源和限流电阻相连接,直流电源和超级电容相连接,超级电容和限流电阻相连接。装置工作时,微处理器PIC16F877A发出控制信号,IGBT 1MBI200L-120导通,直流电源开始对超级电容充电,充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。
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