[发明专利]一种小型屏蔽腔体屏蔽效能的测试方法在审

专利信息
申请号: 201210437678.7 申请日: 2012-11-06
公开(公告)号: CN102944780A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 宋博 申请(专利权)人: 西安开容电子技术有限责任公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R29/08
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 代理人: 张培勋
地址: 710075 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 小型 屏蔽 效能 测试 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子测试与屏蔽效能测试技术领域,是一种小型屏蔽腔体屏蔽效能的测试方法。

背景技术

近年来,在电磁兼容领域,对于产品的抗电磁干扰性能要求越来越高,由于各类电子产品的电磁干扰辐射频段越来越宽,且低频段尤为密集,这使得产品的抗电磁干扰能力要求越来越严格,而决定其空间抗电磁干扰的能力往往取决于其设备腔体自身的屏蔽效能,由于现代电子设备朝向小型化发展,从而使得设备体积逐渐减小;而需验证一个腔体的屏蔽效能,则必须在一个发射天线发射信号的同时,使得一个接收天线放入该腔体内部进行信号接收测试,由于目前该领域中所使用的屏效测试天线多为窄带天线,且体积大,在测试小物体的屏蔽效能时,往往不能将天线放置在腔体内部进行屏蔽效能接收测试,这就使得体积小的腔体其自身屏蔽效能往往无法得到验证,因此迫切需要一种小型屏蔽腔体屏蔽效能的测试方法验证小型腔体的屏蔽效能。

发明内容

本发明的目的是提供一种小型屏蔽腔体屏蔽效能的测试方法,适用于小型腔体、机柜、屏蔽暗箱及大型屏蔽室、屏蔽方舱的屏蔽效能测试。

本发明的技术方案是一种小型屏蔽腔体屏蔽效能的测试方法,他的设备至少包括近场测试天线、双向射频连接器、发射天线、前置放大器、信号源、接收仪、同轴线缆以及屏蔽暗室和屏蔽室,其特征是:屏蔽暗室和屏蔽室是由金属壁板隔成的两个腔体,屏蔽暗室的壁面上设置吸波材料屏蔽暗室和屏蔽室都单独接大地;接收仪设置在屏蔽室内,其余设备设置在屏蔽暗室内,双向射频连接器设置在金属壁板壁面上;近场测试天线设置在屏蔽暗室内,近场测试天线通过同轴线缆依次金属壁板壁面上的双向射频连接器以及接收仪导通;发射天线通过同轴线缆依次与前置放大器和信号源导通,它们设置在屏蔽室内,且发射天线的中心对近场测试天线的中心;这种小型屏蔽腔体屏蔽效能的测试方法按照如下的步骤进行:

步骤1,测直通接收值;信号源发出信号,入射信号经前置放大器后,由发射天线发射,再由近场测试天线接收,并通过双向射频连接器将信号传递至接收仪,接收仪得到天线水平极化和垂直极化的数据,即为直通接收值;

步骤2,测射频泄漏量;将近场测试天线设置在绝缘天线托盘上,并放置在被测腔体内部,其中心对准被测腔体接收面,近场测试天线距被测腔体接收面为d;同时被测腔体壁面上安装双向射频连接器,同轴线缆将近场测试天线与被测腔体面上的双向射频连接器、金属壁板面上的双向射频连接器以及接收仪依次导通;被测腔体于屏蔽暗室内,发射天线在被测腔体外,且发射天线的中心对被测腔体接收面,发射天线与被测腔体接收面的距离为D;

设置好被测腔体后,信号源发出信号,入射信号经前置放大器后,由发射天线发射,入射波穿过被测腔体的接收面后,再由近场测试天线接收,并通过两个双向射频连接器将信号传递至接收仪,接收仪得到此时天线水平极化和垂直极化的数据,为被测腔体接收面的射频泄漏量;

步骤3,计算屏蔽效能;使用步骤1中得到的直通接收值减去步骤2中得到的射频泄漏量,计算后得出被测腔体接收面的屏蔽效能。

所述的双向射频连接器是双向金属屏蔽电连接器,其中间部位有金属法兰盘,通过法兰盘与金属壁板和被测腔体的壁面固定连接。

所述的近场测试天线是直径为3厘米至12厘米的圆环馈电体,是通过射频线缆的内导体和外回路层搭接焊接构成的一端同心圆弧,其实质为接收天线,针对9KHz至30MHz的磁场频段;发射天线为环形磁场天线,针对9KHz至30MHz的磁场频段。

所述的近场测试天线和发射天线还可以是半波振子天线,针对100MHz至1GHz的电场频段或微波喇叭天线,针对1GHz至40GHz的平面波频段。

所述的前置放大器的信号功率放大频段为9KHz至40GHz。

所述的信号源是函数信号发生器、调制信号发生器或宽频信号源。

所述的接收仪是接收机或频谱仪。

所述的同轴线缆是满足9KHz至40GHz频段的同轴线缆。

所述的屏蔽暗室和屏蔽室是半电波暗室,它们都单独接大地。

所述的吸波材料是聚氨酯泡沫型、无纺布难燃型或硅酸盐板金属膜组装型的劈尖形吸收体。

本发明的特点是通过屏蔽连接结构和天线的转换,可测试小体积腔体的电场和磁场频段的屏蔽效能、同时具有精准度与动态范围高、通用性好的优点。

附图说明

下面将结合实施例对本发明作进一步的说明:

图1是9KHz至30MHz磁场频段的直通测试示意图;

图2是9KHz至30MHz磁场频段的屏蔽效能检测布局示意图;

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