[发明专利]存储系统及其操作方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请根据要求于2011年11月4日提交的韩国专利申请No.10-2011-0114282的优先权权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

示例性实施例涉及一种包括非易失性存储装置和控制非易失性存储器的控制器的存储系统。

背景技术

半导体存储装置是在诸如计算机的数字逻辑系统以及范围从卫星到消费类电子产品的基于微处理器的应用中常见的重要微电子组件。因此，半导体存储装置的制造的进展（包括允许扩展到更高存储器密度和更快操作速度的工艺提高和与电路设计相关的发展）有助于建立用于其他数字逻辑家族的性能标准。

半导体存储装置通常包括诸如随机存取存储器（RAM）装置的易失性存储装置和非易失性存储装置。在RAM装置中，通过例如在静态随机存取存储器（SRAM）中建立双稳态触发器的逻辑状态或者在动态随机存取存储器中对电容器充电来存储数据。在SRAM和DRAM装置两者中，只要施加电力数据就保持存储并可以读取，但是当电力切断时数据丢失。

即使电力被切断，掩模只读存贮器（MROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）以及电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）装置也能够存储数据。取决于使用的制造技术，非易失性存储器数据存储状态可以是永久的或可重编程的。非易失性半导体存储器用于在计算机、航空电子设备、电信和消费类电子产业中的各种各样的应用中存储程序和微代码存储。单片易失性和非易失性存储器存储方式的组合在诸如非易失性SRAM（nvRAM）的装置中也可以使用，以在需要快速、可重编程的非易失性存储器的系统中使用。另外，许多专用存储器架构已被发展，其包含一些额外的逻辑电路用于对于专用任务最优化它们的性能。

掩模只读存储器（MROM）、可编程只读存储器（PROM）和可擦除可编程只读存储器（EPROM）非易失性存储装置不能由系统自身自由擦除和写入，因此不容易更新存储器的内容。另一方面，电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）非易失性存储装置是电可擦除和可写的，并且因此可以容易地应用于需要连续更新的辅助存储器或系统编程存储器。

发明内容

本总的发明构思提供一种包括非易失性存储装置和控制非易失性存储器的控制器的存储系统，以及可与该存储系统合用的电子设备。

本总的发明构思的额外的方面和优点部分将在随后的说明中阐述，部分将从说明所显而易见，或者可以通过总的发明构思的实践而获知。

本总的发明构思的上述特征和效用可以通过提供一种存储系统来获得，该存储系统包括：非易失性存储装置，配置为读取数据、接收错误信息以及根据接收的错误信息来校正读取的数据；和控制器，具有配置为接收读取的数据的接口单元，并具有配置为确定接收的数据的错误位的位置以使得接口输出关于接收的数据的确定的错误位位置的错误信息的单元。错误信息可以包括与读取的数据的位对应的位，错误信息的位包括表示读取的数据的位的错误的位，并且读取的数据的所述位的值根据错误信息的所述位的值而改变。

非易失性存储装置可以输出读取的数据到控制器并从控制器接收错误信息。

控制器可以输出错误信息到非易失性存储装置，并且错误信息可以不包括读取的数据和该读取的数据的校正数据。

非易失性存储装置可以将读取的数据作为随机化的数据输出到控制器，并从所述控制器接收作为非随机化的数据的错误信息。

非易失性存储装置可以包括页缓冲器单元，以在输出读取的数据到控制器之后并且当从控制器接收错误信息时存储读取的数据，从而所存储的读取的数据根据接收的错误信息被校正。

错误信息可以不与读取的数据的所有位对应。

非易失性存储装置可以改变与所接收的错误信息的所述位的值对应的位的值作为改变的位，并存储改变的位和维持的位作为校正数据。

非易失性存储装置可以维持不与错误信息对应的位的值，并且存储包括具有改变的值的位和具有维持的值的位的校正数据。

非易失性存储装置可以包括单比特存储器阵列和多比特存储器阵列、从单比特存储器阵列读取数据、并将校正数据存储在多比特存储器阵列中。

非易失性存储装置可以读取使用SLC编程方法编程的数据，并根据MLC编程方法存储校正数据。

非易失性存储装置可以从所述控制器以页为单位接收错误信息。

读取的数据和错误信息可以具有相同的数据大小。