[发明专利]一种接合焊盘结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体焊盘结构以及该半导体焊盘结构的制造方法，尤其涉及一种有机发光二极管的接合焊盘结构及其制造方法。

背景技术

随着电子产品的发展，半导体技术已广泛地应用于存储器、中央处理器（CPU）、液晶显示器（LCD）、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、激光二极管以及其他元件或者芯片组的制造。为了达成高集成度以及高速度的目的，半导体集成电路的尺寸必须不断地缩小。已提出各种的材料和技术来达成上述高集成度与高速度的目的，并且克服与此相关的制造阻碍。为了降低晶粒尺寸，可在下方形成了有源、功能性元件或电路的上方区域形成焊盘（PAD）。

焊盘是芯片表面上的金属引脚区域，与衬底内形成了实际芯片的下层结构接触。其后，所述金属引脚区域可与外部线路接触，从而芯片的电路可与外部电路电接触。

当前，现有技术中的接合焊盘结构如附图1所示。

参见图1，现有技术中的接合焊盘结构包括基板101、缓冲区102、第一金属层103、间隔层104和第二金属层105。其中，所述缓冲区102、第一金属层103、间隔层104和第二金属层105依次形成于所述基板101上。

然而，上述现有技术接合焊盘结构在应用时存在如下的多种问题：

（1）在对集成电路和柔性线路板（FPC）进行模块接合时经常会造成偏位；

（2）在对接合焊盘结构与集成电路焊盘进行压合操作时，压合阻力过大；

（3）在对接合焊盘结构与集成电路焊盘进行压合操作时，作用于集成电路的推力超过标准规格；

（4）在对接合焊盘结构与集成电路焊盘进行压合操作时，二者压合不均匀、啮合不良、接合时间较长。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是通过一种改进的接合焊盘结构及相应的改进的接合焊盘结构的制作方法，来解决以上提到的问题中的一种或多种。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种接合焊盘结构，其特征在于，包含：

设置于基板上的多晶硅层，所述多晶硅层呈条状平行排列；

位于所述多晶硅层上的第一金属层和第二金属层，并且所述第二金属层位于所述第一金属层之上；

位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层，所述间隔层包括多个凸出块；

其中，所述第二金属层表面具有与所述多个凸出块对应的多个凸起。

进一步的，所述第一金属和所述第二金属是同种金属。

进一步的，所述接合焊盘结构还包括位于所述多晶硅层和所述基板之间的缓冲层。

进一步的，所述缓冲层由以下材料中的至少一种制成：氮化硅，二氧化硅。

进一步的，所述接合焊盘结构还包括位于所述多晶硅层和所述第一金属层之间的栅极绝缘层。

进一步的，所述第一金属层的厚度为

进一步的，所述第二金属层的厚度为

进一步的，所述间隔层的厚度为

进一步的，所述间隔层由氮化硅制成。

进一步的，所述凸出块为棱台。

进一步的，所述棱台的圆锥角大于等于45度且小于等于80度。

对应地，本发明还提出了一种接合焊盘结构的制造方法，所述制造方法依次包括以下步骤：

在基板上形成多晶硅层，对所述多晶硅层进行曝光、显影、刻蚀，以便使所述多晶硅层形成平行排列的条状；

在所述多晶硅层上形成第一金属层；

通过光刻工艺在所述第一金属层上形成间隔层，所述间隔层包括多个与所述多晶硅层的条状宽度一致的凸出块；

在所述间隔层和第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层表面呈现与所述多个凸出块对应的多个凸起。

进一步的，所述第一金属和所述第二金属是同种金属。

进一步的，在形成所述多晶硅层之前，还包括在基板上形成缓冲层。

进一步的，所述缓冲层由以下材料中的至少一种制成：氮化硅，二氧化硅。

进一步的，在形成所述多晶硅层之后，还包括在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层。

进一步的，所述第一金属层的厚度为

进一步的，所述第二金属层的厚度为

进一步的，所述间隔层的厚度为

进一步的，所述间隔层由氮化硅制成。

进一步的，所述凸出块为棱台。

进一步的，述棱台的圆锥角大于等于45度且小于等于80度。

本发明提出的接合焊盘结构具有如下特点：