[发明专利]一种玻化陶瓷砖坯料及其制备玻化陶瓷砖的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种玻化陶瓷砖坯料及其制备玻化陶瓷砖的方法，具体涉及一种超低温节能玻化陶瓷砖坯料及其制备玻化陶瓷砖的方法，属于陶瓷加工领域。

背景技术

玻化陶瓷砖是建筑陶瓷的主要产品之一，它的常规烧成温度在1210±20℃之间，常规烧成周期在60±5min之间，常规产品厚度在12±2毫米之间，常规晶体结构一般为长石莫来石结构，同时现有技术制备玻化陶瓷砖大量使用资源较匮乏的广东黑泥原料和长石原料，造成生产原料紧缺。因此，玻化陶瓷砖的现有工艺具有能耗最高、生产原料紧缺和环境污染的问题。

许多本领域研究人员对于如何降低玻化陶瓷砖的烧成温度，减少烧成周期，开拓生产原料方面做了很多努力。

河南新美陶瓷的杨剑等人，通过引入大量长石类稀缺原料，其产品烧成温度仅降至1192±3℃，烧成周期仅缩短至48min（低温快烧瓷质玻化砖配方的研制与生产，杨剑等，陶瓷，2003，2：42-43）。自贡兆峰公司的邓建国等人，利用当地原料试制彩色大颗粒抛光砖的生产工艺，其烧成温度为1185-1200℃，烧成周期在60min左右（利用当地原料试制彩色大颗粒抛光砖，邓建国，陶瓷，2002，6：46-48）。余筱勤等人利用当地劣质原料进行了降低玻化砖的烧成温度试验，烧成温度为1170-1180℃，烧成周期30min（低温快烧瓷质地砖的研制，余筱勤等，2001，37（1）：33-34）。

四川省建材工业科学研究院的陈静采用废玻璃和焚烧灰熔渣取代长石作为熔剂原料，在电炉条件下烧制出玻化砖样品，烧结温度1150℃（用废料作熔剂原料低温烧制瓷砖，陈静，江苏陶瓷，2006，39（1）：24、29）。

CN 1562870（公开日2005年1月12日）公开了一种利用略低于炻瓷的釉烧温度（1200-1220℃），烧制出高于硬质瓷强度的日用瓷。

DE 20001031430（公开日2002年1月17日）公开了一种低烧结磷灰石玻璃陶瓷，烧结温度为1200-1650℃。

CN 1907908（公开日2007年2月7日）公开了一种采用低温烧结生产抛光砖的方法，该方法是以废玻璃作为主要熔剂原料，以三聚磷酸钠（Na₃P₅O₁₀）作为次要熔剂原料，辅以其它低价陶瓷原料，制出适合于辊道窑一次快速烧成（烧成时间60min，烧成温度≤900℃）的抛光砖。虽然该专利的烧成温度较低，但是该专利采用较多化工原料三聚磷酸钠（Na₃P₅O₁₀）以及废玻璃，其强度低无法实现产业化。

由此，仅仅依靠大量使用废玻璃和工业试剂来降低烧成温度，配方结构未见改变，导致产品的理化性能严重下降，生产控制困难、产品易于变形、合格品低，根本无法实现生产。因此市场急需要开发一种成本低、强度高，不利用大量使用化工原料造成二次污染的低温玻化陶瓷砖的生产工艺。

CN 101634184公开了一种大规格炻质超薄砖及其制备方法，所用原料按重量百分比表示组成为SiO₂ 55～68％，Al₂O₃ 14～28％，Fe₂O₃ 0.5～1.8％，TiO₂0.2～1.5％，CaO1～12％，MgO 0.3～1％，K₂O+Na₂O 2～5％。本发明组合物制备的炻质超薄砖产品采用干压成型，成型厚度为3～6mm，而最终产品规格可以达到(900～1000)mm×(1800～2000)mm。坯体中引入5～30％纤维增强剂，以保证炻质超薄砖有足够的强度及韧性。本发明大幅度减轻了单位面积陶瓷砖的重量，较好地实现了节能降耗的目标，属于环保类建筑装饰材料。该方法中要进行二次烧成，一次烧成温度为1140-1160℃，二次烧成温度为1130-1150℃。