[发明专利]一种LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）、在蓝宝石衬底上制作掩蔽层，所述掩蔽层为SiO₂、Si₃N₄或Ni、Ti、Cr、Al、Ag、Pt中的一种或多种金属和Au的组合，掩蔽层的厚度为5～10微米；

（2）、在所述掩蔽层上制作光刻胶图案，所述光刻胶图案在掩蔽层表面形成多个单元，各单元之间有部分掩蔽层露出；

（3）、在露出的掩蔽层上进行激光刻线，划至所述蓝宝石衬底，形成释放应力线，该释放应力线将蓝宝石衬底划分为多个芯片单元；激光刻线所采用的激光波长为200～400nm，释放应力线宽度为2～15微米，划线深度为15～50微米；

（4）、去除所述光刻胶图案；

（5）、以所述掩蔽层作为保护层，使用磷酸、硫酸的混合液对释放应力线侧壁进行腐蚀，清除划线生成物；

（6）、使用清洗液去除所述掩蔽层，清洗液为BOE溶液、氢氟酸、硝酸、浓硫酸、王水中一种或其混合物；

（7）、在上述步骤得到的表面具有释放应力线的蓝宝石衬底上生长GaN基半导体外延层，该半导体外延层至少包括N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层，以及位于所述有源层之上的P型半导体层；

（8）、对每个芯片单元进行刻蚀，以露出部分所述N型GaN层，然后在露出的N型GaN层上制作N电极、在P型GaN层上制作透明电极和P电极；

（9）在芯片表面制作钝化层，并露出N电极和P电极得到LED晶片；对LED晶片进行背面研磨减薄，再裂片得到LED芯片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽层为SiO₂，其厚度为6～8微米。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（3）中的激光波长为355nm，释放应力线宽度为6微米，划线深度为25微米。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（4）中采用去膜剂清洗，清洗时间为10～20分钟。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（5）中磷酸、硫酸的体积比为1：3，腐蚀温度为300～350℃，腐蚀时间为50～60分钟。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（7）中的制备半导体外延层时，优选金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延等技术。