[发明专利]一种X射线管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210434550.5 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103794444A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬松;章健 | 申请（专利权）人： | 上海联影医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J35/16 | 分类号： | H01J35/16;H01J9/24 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 金碎平 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射线 及其 制备 方法 | ||
1.一种X射线管，包括管芯和包覆所述管芯的外壳，其特征在于，所述外壳的内表面设有碳纳米管直线生长形成的碳纳米管阵列层，所述碳纳米管的轴向与所述内表面成一夹角。
2.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述碳纳米管阵列层为一层或多层碳纳米管阵列。
3.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述夹角的范围为30°～90°。
4.如权利要求3所述的X射线管，其特征在于，所述夹角为直角。
5.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述外壳为柱体或球体。
6.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述碳纳米管阵列层呈柱状、墙状或十字型结构。
7.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述碳纳米管阵列层的高度为0.1μm～100μm，所述碳纳米管的相邻间距为0.5μm～2.5μm。
8.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述管芯和外壳之间设置有冷却液。
9.如权利要求1所述的X射线管，其特征在于，所述外壳的材料为不锈钢或铅。
10.一种如权利要求1所述的X射线管的制备方法，提供管芯，其特征在于，包括在管芯外通过如下步骤制备：
a)先在硅基底上采用化学气相沉积的方法使碳纳米管沿直线生长形成一层或多层碳纳米管薄膜层；
b)提供X射线管的外壳，将硅基底上的碳纳米管薄膜层用PDMS（聚甲基硅氧烷）粘附，然后将粘附了碳纳米管的PDMS转移至所述外壳内表面上；
c)用洗脱剂除去PDMS，强碱溶液除去硅基底；
d)真空加热使碳纳米管薄膜层和外壳内表面之间形成化学键；
e)对所述一层或多层碳纳米管薄膜层进行刻蚀，形成图案化的碳纳米管阵列层。
11.如权利要求10所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中碳纳米管薄膜层的高度为0.1～100μm,所述碳纳米管的相邻间距为0.5～2.5μm。
12.如权利要求10所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中所述外壳通过焊接工艺或冲压成型方法制备而成。
13.如权利要求10所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述步骤c）中去除PDMS的洗脱剂为丙酮，去除硅基底的洗脱剂为强碱溶液。
14.如权利要求13所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述强碱溶液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
15.如权利要求10所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述步骤d)中加热的温度为1000℃～2000℃。
16.如权利要求10所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列层呈柱状、墙状或十字型结构。
17.如权利要求16所述的X射线管的制备方法，其特征在于，所述步骤e)采用的刻蚀方法为激光刻蚀，电子束刻蚀或等离子体刻蚀。
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