[发明专利]双面YBCO薄膜结构的超导开关无效
| 申请号: | 201210434185.8 | 申请日: | 2012-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN102931339A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 王豫;桂志兴;李海涛;严仲明;王亮;刘阳 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
| 主分类号: | H01L39/16 | 分类号: | H01L39/16;H01L39/06 |
| 代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 张澎 |
| 地址: | 610031 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双面 ybco 薄膜 结构 超导 开关 | ||
技术领域
本发明属于超导能量变换技术领域,是应用超导材料的非线性电阻以实现超导磁体的励磁、闭环运行以及快速去磁的超导开关器件。
背景技术
高温超导电感磁储能是一种高效的储能技术,与电容储能相比具有储能密度高、稳定性好、系统体积小等优点,已经在交通、航天、电力、医学等领域中得到广泛的应用。超导开关是超导磁储能系统中的关键器件,利用超导-常导相变出现的电阻变化来实现电路的断开与闭合。超导开关和超导磁体组成的系统具有脉冲输出、稳定储能、磁体自保护等功能。
高性能的超导开关除了要具有超低损耗的载流性能,还要有快速有效的关断特性包括关断时间和关断电阻两个标准;达到稳态和瞬态下的优良性能是设计与制备高温超导开关的难点。
目前制备超导开关的材料有低温NbTi线、高温超导带材(Bi系、Yi系)、超导薄膜、超导块材,不同材料组成的超导开关其结构和性能大相径庭。低温超导材料(工作在4.2K液氦温区,主要以NbTi合金为代表)制备的超导开关已经得到较多研究,其接头电阻很低,性能良好,技术比较成熟。低温超导材料的使用性能已难以显著提高,特别是苛刻的低温环境要求,极大地限制了其应用的普及。高温超导带材是制备高温超导开关通常选用的一种,用超导带材绕制而成,其断路电阻的增加依赖于超导带材长度的增加,这将大大增加开关的体积,从而增加了绕线工艺的难度;加之在超导开关触发的过程中,线圈式结构是一种封闭的热学模型,极易出现导热的不均匀,开关的操作时间会达到几秒甚至几十秒,严重影响开关的关断性能,需要复杂的触发装置才能获得理想的开断速度。薄膜开关由YBCO薄膜制备得到,YBCO薄膜一般沉积在介质基片上,厚度为100nm-500nm,由于制备的工艺的原因,临界电流密度很难达到均匀分布,液氮温区内的载流能力逊于线材,加上平面式的热学结构薄膜超导开关容易发生淬灭的不均匀,特别是多模块组成器件中,模块间的同步性是一个重要的问题;YBCO陶瓷材料在90K时的电阻率达到130Ω·m,可以实现很高的断路电阻,前提是有有效的结构设计和控制手段。
超导材料的三种临界态是控制开关的主要手段包括电、磁、热,目前任何一种单一的触发方式都有其缺点,很难同时实现开关的关断时间和关断电阻两个电气标准。高性能的高温超导开关在实际运行的研究报道还较少,在高电压、大电流的条件下性能还有待提高。
发明内容
鉴于现有技术的以上不足,本发明的目的是,从结构设计方向予以改善来提高高温超导开关的稳态和暂态性能,获得一种适合电、磁优化组合控制的双面YBCO薄膜开关。
本发明的目的是通过如下的手段实现的。
双面YBCO薄膜结构的超导开关,工作于在液氮温区具有电、磁以及其优化组合的控制方式,开关主体由双面结构的YBCO薄膜材料构成。平面电路采用蛇形走线结构,即超导层被刻蚀空隙分割成曲折路径;平面电路具有层内通孔,即超导层上具有若干散布的刻蚀空孔,且正反两面的刻蚀空孔呈交错排布。
采用如上的结构,双面结构薄膜构造超导开关,上下导电层并接能改善载流能力,串接可以增加线路电阻,提高了空间结构设计的灵活性和开关的集成度。根据失超热学原理,两超导层间MgO基底良好的传热效果,能起到平衡热场和临界电流密度分布的作用,这样可大大提高开关模块开断的同步性;高温超导开关工作在液氮温区(77K),根据液氮的沸腾工况,双面结构的YBCO薄膜具有比单面的薄膜更强的热力学惰性,开关断开后会较长时间地保持正常态,提高了超导磁体能的能量转换。
开关的平面电路设计的蛇形的走线是增加了走线有效长度,从而增大断路电阻;YBCO超导层内微小通孔设计一方面不会明显影响稳态的载流能力,相当于人为地设计YBCO薄膜的缺陷分布,促进电流触发控制时热点在整个平面上的分布和热传导,另一方面正反面的通孔交错排布,是考虑到磁场触发控制时开关平面上磁场的穿透能力不同,这样的通孔设计可以使超导薄膜在磁场下受面一致均匀,这样的整体设计可以使电磁触发变得简单有效。
附图说明:
图1是双面薄膜开关的结构示意图。
a.平面电路效果图(左为正面图,右为反面图),b.前视效果图,c,三维效果图。图中1.镀金层,2.超导层,3.层内通孔,4.MgO基底层
图2是双面薄膜开关沿x轴的剖视效果图。
表示开关的两种载流方式,a.并联载流图,b.串联载流图。图中“→”表示电流流向。
图3为采用本发明双面薄膜开关的电、磁组合的触发应用方案图。
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