[发明专利]晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及将形成于晶片的外周部的倒角部除去以使晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法。

背景技术

半导体晶片在表面形成大量的IC（Integrated Circuit，集成电路）、LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）等器件，且一个一个的器件由分割预定线（间隔道）划分开，在将所述半导体晶片通过磨削装置对背面进行磨削而加工至预定的厚度后，通过切削装置（切割装置）对分割预定线进行切削来分割出一个一个的器件，分割成的器件被广泛应用于手机、个人电脑等各种电子产品中。

对晶片背面进行磨削的磨削装置具备：卡盘工作台，其用于保持晶片；及磨削单元，其以能够旋转的方式装配有磨削轮，所述磨削轮具有磨削磨具，所述磨削磨具用于对保持在卡盘工作台上的晶片进行磨削，该磨削装置能够将晶片高精度地磨削至预定的厚度。

在晶片的磨削时，为了保护在表面形成的器件而在晶片的表面贴附表面保护带，之后利用磨削装置对晶片的背面进行磨削。不过，若通过磨削将晶片的厚度薄化至例如数十μm左右时，由于表面保护带的刚性无法对晶片平稳地保持，会整体地发生挠曲而成为不稳定状态，因而存在对磨削及后续的晶片处理产生阻碍的问题。

为了使通过磨削而薄化了的晶片的处理变得容易，在日本特开2000-158334号公报记载了下述方法：在将晶片的表面侧贴附在具有刚性的支承基板后，对晶片的背面进行磨削。

一般来说，在半导体晶片的外周形成有从表面到背面的圆弧状的倒角部，在对晶片背面进行磨削而使晶片薄化后，在倒角部残存有由圆弧面与磨削面形成的尖刃（檐状），既危险又会在外周部分产生缺损，从而存在器件的品质下降、晶片破损的问题。

为解决此问题，日本特开2000-173961号公报公开了下述半导体装置的制造方法：使形成于半导体晶片的外周的倒角部在与平坦部的交界部分的表面形成切口后，进行晶片的背面磨削直到晶片的板厚变得比切口深度薄。

专利文献1：日本特开2000-158334号公报

专利文献2：日本特开2000-173961号公报

然而，如专利文献2公开的半导体装置的制造方法，在将晶片贴附在支承基板或表面保护带之前从晶片的表面侧对晶片的倒角部与平坦部的交界进行切削的话，存在切削屑落在晶片的表面并附着在器件的表面而造成品质下降的问题。

特别是对于形成有多个CCD、CMOS等固体图像传感器的晶片，会造成固体图像传感器的成像性能下降的致命问题。为除去附着在表面的切削屑必须要进行过度的清洗。

在将晶片贴附在支承基板后除去倒角部的情况下，由于需要除去从晶片的背面侧到表面的倒角部，因而加工耗费时间。并且，需要比倒角部的宽度厚的切削刀具，不仅切削刀具本身的费用升高，而且伴随着连续加工，切削刀具容易发生不均匀磨损，因而需要频繁更换切削刀具。

另一方面，在使用比倒角部的宽度薄的切削刀具的情况下，需要在晶片外周部进行多次圆形切削加工，存在生产性不佳的问题。

发明内容

本发明正是鉴于以上各点而完成的，其目的在于提供一种晶片加工方法，在不使晶片破损的前提下比以往时间短且廉价地将晶片薄化至预定厚度。

根据本发明，提供一种晶片加工方法，所述晶片加工方法是将在外周具有倒角部的晶片薄化至预定厚度的晶片加工方法，其特征在于，所述晶片加工方法具备下述步骤：层叠晶片形成步骤，在该层叠晶片形成步骤中，将晶片的表面贴附于支承基板上而形成层叠晶片；倒角部除去步骤，在该倒角部除去步骤中，将切削刀具定位于在所述晶片的表面侧的外周侧面，从在所述层叠晶片形成步骤形成的层叠晶片的外周侧向中心切入，将从所述晶片的表面至预定厚度的倒角部除去，所述切削刀具具有与所述层叠晶片的层叠方向平行的旋转轴线；以及薄化步骤，在该薄化步骤中，在所述倒角部除去步骤实施后，对所述层叠晶片的所述晶片的背面侧进行磨削，将晶片薄化至预定厚度。

优选的是，还具备保持步骤，在该保持步骤中，在所述倒角部除去步骤实施前，以切削装置的卡盘工作台对所述层叠晶片的靠所述支承基板的那一侧进行保持，在所述倒角部除去步骤中，使具有与所述卡盘工作台的旋转轴线平行的旋转轴线的切削刀具定位于所述晶片的表面侧的外周侧面，从所述层叠晶片的外周侧向中心切入，使所述卡盘工作台至少旋转1周，从而将从所述晶片的表面至预定厚度的倒角部除去。