[发明专利]半导体器件的测试图案及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的测试图案，所述测试图案包括：

多个有源区，所述多个有源区被限定在半导体衬底中且被布置成彼此平行；

多个栅图案，所述多个栅图案被形成在所述多个有源区之上；

多个栅接触，所述多个栅接触被形成在所述多个栅图案之上；

第一结接触，所述第一结接触被形成在所述多个有源区之中的奇数编号的有源区的各个端部之上；

第二结接触，所述第二结接触被形成在所述多个有源区之中的偶数编号的有源区的各个端部之上；以及

接触焊盘，所述接触焊盘被配置成将所述第一结接触与所述多个栅接触耦接。

2.如权利要求1所述的测试图案，其中，所述多个栅图案和多个栅接触以与X译码器的栅图案和栅接触相同的结构而被形成在半导体衬底的划片区中。

3.如权利要求1所述的测试图案，其中，第一端子与所述接触焊盘耦接，而第二端子与所述第二结接触耦接。

4.如权利要求1所述的测试图案，其中，所述奇数编号的有源区的端部与所述偶数编号的有源区的端部被设置成是相对置的。

5.一种半导体器件，包括：

X译码器，所述X译码器包括第一栅图案和第一栅接触，并且被配置成选择存储器单元块的字线；

多个有源区，所述多个有源区被限定在半导体衬底的划片区中且被布置成彼此平行；

多个第二栅图案，所述多个第二栅图案被形成在所述多个有源区之上；

多个第二栅接触，所述多个第二栅接触被形成在所述多个第二栅图案之上，其中，所述第二栅图案和所述第二栅接触具有与所述X译码器的第一栅图案和第一栅接触相同的结构；

第一结接触和第二结接触，所述第一结接触和第二结接触被形成在所述多个有源区的各个端部之上；以及

第一接触焊盘，所述第一接触焊盘被配置成将所述第一结接触与所述多个第二栅接触耦接。

6.如权利要求5所述的测试图案，还包括：

第二接触焊盘，所述第二接触焊盘被配置成与所述第二结接触耦接。

7.一种半导体器件的测试图案，所述测试图案包括：

第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区被限定在半导体衬底的划片区中并且彼此交替；

多个栅图案，所述多个栅图案被分别形成在所述第一有源区和所述第二有源区之上；

多个栅接触，所述多个栅接触被形成在所述多个栅图案之上；

至少一个第一接触，所述至少一个第一接触被形成在所述第一有源区之上；以及

至少一个第二接触，所述至少一个第二接触被形成在所述第二有源区之上。

8.如权利要求7所述的测试图案，其中，所述第一接触与第一端子（+）耦接，而所述第二接触与第二端子（-）耦接。

9.一种形成半导体器件的测试图案的方法，所述方法包括以下步骤：

通过在半导体衬底上执行隔离工艺，来限定多个有源区；

在所述多个有源区之上形成多个栅图案；

形成与所述多个栅图案的顶部耦接的多个栅接触；

形成与所述多个有源区的各个端部耦接的第一结接触和第二结接触；以及

形成与所述第一结接触和所述多个栅接触耦接的第一接触焊盘。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在形成所述半导体器件的X译码器的晶体管的栅图案和栅接触的工艺中，执行形成所述多个栅图案和所述多个栅接触的步骤。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述多个栅图案和所述多个栅接触分别具有与所述X译码器的栅图案和栅接触相同的结构。

12.如权利要求9所述的方法，其中，形成与所述多个有源区的各个端部耦接的第一结接触和第二结接触的步骤包括以下步骤：

形成与所述多个有源区之中的奇数编号的有源区的各个端部耦接的所述第一结接触；以及

形成与所述多个有源区之中的偶数编号的有源区的各个端部耦接的所述第二结接触。

13.如权利要求12所述的方法，其中，将所述奇数编号的有源区的端部与所述偶数编号的有源区的端部设置成相对置的。

14.如权利要求9所述的方法，还包括以下步骤：

形成与所述第二结接触耦接的第二接触焊盘。