[发明专利]用于中子捕获层的硼-10化合物

权利要求书

1.一个中子探测器，其包括：

限定内部体积的外壳；

一个部分，其作为阴极；

中央结构，其位于所述内部体积内且作为阳极；

在阴极部分上的硼涂层，其中至少所述硼涂层的一些从含硼粉末中热扩散进入阴极部分从而形成对于中子敏感的硼涂层；以及

电连接器，其操作式连接到所述中央结构来传输通过所述中央结构收集的信号。

2.根据权利要求1所述的中子探测器，其中所有的硼涂层都扩散进入所述阴极部分。

3.根据权利要求1所述的中子探测器，其中所述外壳包括限定壁而所述阴极部分是所述壁的至少一部分。

4.根据权利要求3所述的中子探测器，其中所述壁的表面至少85％被硼涂层覆盖。

5.根据权利要求3所述的中子探测器，其中所述壁为圆筒体。

6.根据权利要求1所述的中子探测器，其中所述硼涂层包括约97重量％的最小总硼含量和约98重量％的¹⁰B同位素与总硼含量的最小比率。

7.根据权利要求1所述的中子探测器，其中硼涂层包括每克硼小于7.00×10^-4克的可溶解残留物。

8.一种将含硼粉末扩散进入基板表面来为中子探测器制造中子捕获层的方法，该方法包括：

提供一个导电基板；

放置含硼粉末来接触该导电基板；

使含硼粉末和导电基板经受升高的温度从而使一定量的含硼粉末热扩散进入导电基板形成对中子敏感的硼涂层；并且

将所述导电基板和硼涂层并入中子探测器，作为外壳的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所有的硼涂层都扩散进入该导电基板。

10.根据权利要求8所述的方法，其中提供导电基板的步骤包括，提供所述基板作为限定内部体积的外壳的壁的至少一部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述壁的表面至少85％被所述硼涂层覆盖。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述壁为圆筒体。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述硼涂层包括约97重量％的最小总硼含量和约98重量％的¹⁰B同位素与总硼含量的最小比率。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述硼涂层包括每克硼小于7.00×10^-4克的可溶解残留物。