[发明专利]一种调谐范围宽品质因数高的开关电容阵列结构无效
申请号: | 201210433082.X | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN103001621A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 郭斌 | 申请(专利权)人: | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调谐 范围 品质因数 开关 电容 阵列 结构 | ||
1.一种调谐范围宽、品质因数高的开关电容阵列,其特征在于:它包括N个单端开关电容单元,所述N个单端开关电容单元输入接对应开关控制信号D0,D1,D2,一直到DN,输出均接到开关电容阵列的输出端OUT。
2.根据权利要求1所述的开关电容阵列,相邻的开关电容单元的开关管(Ni)和(Ni+1)的尺寸比例与二者对应的电容(CDi)和(CD(i+1))容值比例相同。
3.根据权利要求2所述的开关电容阵列,每个开关电容单元的开关控制信号Di接到反相器(INV)的输入端和开关管(Ni)的输入端,反相器INV输出端接到一个电阻(R0)的一端,所述电阻(R0)另一端接到开关管(Ni)的漏极,开关管(Ni)的漏极接到电容(CDi)的一端,所述电容(CDi)的另一端接到开关电容阵列的输出端OUT。
4.根据权利要求3所述的开关电容阵列,每个开关电容单元的反相器(INV)尺寸相同,电阻(R0)取值相同。
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