[发明专利]一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法

权利要求书

1.一种控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，所述浅沟道绝缘层的制程中包括形成衬底氧化硅层、衬底氮化硅层和硅衬底，所述衬底氮化硅层位于所述衬底氧化硅层上面，所述衬底氧化硅层位于所述硅衬底上面；其特征在于，步骤包括：

步骤a，在生长所述衬底氧化硅层的时候多生长一层薄膜层；

步骤b，对所述衬底氮化硅层进行去除；

步骤c，在所述衬底氮化硅层去除后量测所述衬底氧化硅层的厚度，称为前值；同时定一个目标值，所述目标值为理想状况下所述衬底氧化硅层的厚度取值；

步骤d，对每个批次的所述衬底氧化硅层定一个修正值，所述修正值的取值范围为所述前值和所述目标值的差值范围；然后按照所述修正值对所述衬底氧化硅层进行修正蚀刻。

2.如权利要求1所述的控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其特征在于，所述步骤b中，对所述衬底氮化硅层采用磷酸浸泡的方式去除。

3.如权利要求1所述的控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其特征在于，所述步骤b中，对所述衬底氮化硅层采用过量刻蚀的方式去除。

4.如权利要求1所述的控制浅沟道绝缘层制程中衬底氧化层的均匀性的方法，其特征在于，所述步骤d中，在对所述衬底氧化硅层进行修正蚀刻后，量测所述衬底氧化硅层的厚度并得到一个后值，所述后值用于验证所述修正蚀刻的效果。