[发明专利]一种缺陷检测的方法无效
| 申请号： | 201210432309.9 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102937597A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种缺陷检测的方法，其特征在于，
提供一个完整的芯片；
扫描所述完整的芯片，获得该完整的芯片的电路密度分布图；
根据所述电路密度分布图，设定待检测芯片的多个缺陷检测区域；
利用所述多个缺陷检测区域，对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，采用光学检测工艺对所述待检测芯片进行缺陷检测分析。
3.根据权利要求2所述的缺陷检测的方法，其特征在于，采用所述光学检测工艺中的缺陷检测光源扫描所述完整的芯片。
4.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述多个缺陷检测区域的范围为1-100。
5.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，根据电路密度梯度等级获得所述电路密度分布图。
6.根据权利要求5所述的缺陷检测的方法，其特征在于，根据缺陷检测工艺需求设定所述电路密度梯度等级。
7.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述完整的芯片是所述待检测芯片标本。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的缺陷检测的方法，其特征在于，根据缺陷检测工艺的需求设定所述检测区域的个数。
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