[发明专利]磁阻元件结构形成方法

权利要求书

1.一种磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供基板；

于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。

2.根据权利要求1所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，该于该基板上方形成该金属镶嵌结构的步骤包括以下步骤：

于该基板上方形成集成电路结构；

于该集成电路结构上方形成至少一层平坦化介电层；以及

于该至少一层平坦化介电层上方形成该金属镶嵌结构。

3.根据权利要求2所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，该于该基板上方形成该金属镶嵌结构的步骤进一步包括以下步骤：

于该至少一层平坦化介电层上方形成介电层结构；

于该介电层结构中形成至少一个凹槽；

形成磁阻材料层于该介电层结构表面并覆盖该至少一个凹槽；以及

对该磁阻材料层进行图案定义以形成磁阻单元。

4.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，利用该至少一个凹槽作为对准标记来对该磁阻材料层进行图案定义。

5.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，该于该至少一层平坦化介电层上方形成该介电层结构的步骤包括以下步骤：

形成氧化硅层；

于该氧化硅层表面形成氮化硅层；以及

于该氮化硅层表面再形成另一氧化硅层。

6.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括：形成该至少一个凹槽于该基板中之一切割道区域上。

7.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括：形成该至少一个凹槽于该金属接线垫之上方。

8.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括：形成该至少一个凹槽于该基板中之一磁阻元件阵列区内。

9.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括：形成该磁阻单元的部分于该介电层结构的上表面。

10.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括：形成该磁阻单元的全部于该介电层结构的上表面。

11.根据权利要求3所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于，进一步包括：留下该磁阻材料层于该至少一个凹槽的侧壁。

12.根据权利要求2所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于：包括：形成至少一金属内连接结构于该集成电路结构中，进一步包括：形成至少一金属接线垫于该金属内连接结构中。

13.根据权利要求12所述的磁阻元件结构形成方法，其特征在于：进一步包括以下步骤：

于该磁阻单元表面形成保护层；以及

除去部分保护层以形成打线开口而露出该金属接线垫。