[发明专利]环形双向渐深变密度片有效
申请号: | 201210431511.X | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN102902004A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 张勇喜;金秀;王瑞生;胡雯雯;马敬;赵帅锋 | 申请(专利权)人: | 沈阳仪表科学研究院 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人: | 郭元艺 |
地址: | 110043 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 环形 双向 渐深变 密度 | ||
1.一种环形双向渐深变密度片,其特征在于,包括玻璃基片(1)及镀制其上的衰减膜(2);所述衰减膜(2)包括圆形中心截止区(3)、环形内圈渐变区(4)、环形中间高透区(5)、环形外圈渐变区(6)及环形外圈截止区(7);所述圆形中心截止区(3)、环形内圈渐变区(4)、环形中间高透区(5)、环形外圈渐变区(6)及环形外圈截止区(7)同心且沿直径方向依次相邻。
2.根据权利要求1所述的环形双向渐深变密度片,其特征在于:所述圆形中心截止区(3)和环形外圈截止区(7)的光密度均匀一致;环形中间高透区(5)的光密度为0;环形内圈渐变区(4)及环形外圈渐变区(6)的光密度呈线性变化。
3.根据权利要求2所述的环形双向渐深变密度片,其特征在于:所述衰减膜(2)在直径线上光密度与透射率变化规律如下:
其中:r为衰减膜半径;D0为最大光密度值;OD为光密度;R1、R2、R3、R4及R5为不同区域衰减膜半径最大值;k1为内圈渐变区的光密度变化率;k2为外圈渐变区的光密度变化率。
4.根据权利要求3所述的环形双向渐深变密度片,其特征在于:所述圆形中心截止区(3)及环形外圈截止区(7)的光密度达到OD4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳仪表科学研究院,未经沈阳仪表科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210431511.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超高精密硅基通孔图形结构的制备方法
- 下一篇:基板处理装置