[发明专利]高纯度二氧化硅的制备方法

权利要求书

1.一种高纯度二氧化硅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）硅藻土和氟化铵水溶液在80~90℃下反应生成氟硅酸铵溶液和氨气，所述氟硅酸铵溶液经过滤和高速离心后除去杂质，实现初步提纯；所述氨气经纯水吸收，制成高纯氨水；

2）将初步提纯后的氟硅酸铵溶液经过多次蒸发结晶，通过固液分离进行二次提纯，然后通过洗涤得到高纯度氟硅酸铵固体；

3）将所述高纯度氟硅酸铵固体加热到100~150℃，使其分解生成四氟化硅气体和氟化铵气体；

4）将所述四氟化硅和氟化铵气体导入到反应设备中，使其与高纯氨水进行氨解反应，生成二氧化硅沉淀；

5）将所述二氧化硅沉淀通过高速离心脱水、洗涤和真空干燥，得到纯度大于6N的高纯度二氧化硅粉体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤2）中，将所述提纯后的氟硅酸铵溶液放入三效蒸发结晶器中，经过三次蒸发结晶实现固液分离。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤3）中，将所述高纯度氟硅酸铵固体放入热分解反应器中加热分解。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅藻土中SiO2的含量为95%左右。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中制得的高纯度氟硅酸铵固体纯度≥4N。