[发明专利]电子传输层、含该层的有机电致发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子传输层，其特征在于，所述电子传输层为共混材料层，含有有机电子传输材料及有机金属配合物，其中，所述有机电子传输材料为具有式Ⅰ结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合，

式Ⅰ

式Ⅰ中，Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃，或选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃；n选自1至3的整数。

2.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，式Ⅰ中Ar是亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、苯并亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚苯基吡啶基、联亚苯基吡啶基、或二苯并

3.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，式Ⅰ中的基团的结构为如下所示：

4.根据权利要求3所述的电子传输层，其特征在于，式Ⅰ中n=1时，Ar为如下结构：

n=2时，Ar为如下结构：

n=3时，Ar为如下结构：

5.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，具有式Ⅰ结构的化合物为如下化合物：

6.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，所述有机金属配合物为碱金属、碱土金属、Al、Zn、Ga或In的有机配合物中的一种。

7.根据权利要求6所述的电子传输层，其特征在于，所述有机金属配合物为碱金属、碱土金属、Al、Zn、Ga或In的8-羟基喹啉类金属配合物、10-羟基苯并喹啉类金属配合物，羟基苯并噻唑类金属配合物、羟基苯并恶唑类金属配合物、2-羟基苯基吡啶类金属配合物或Schiff碱类金属配合物中的一种。

8.根据权利要求7所述的电子传输层，其特征在于，所述有机金属配合物为Liq，Naq，Beq₂，Bebq₂，Bepp₂，Znq₂，Zn(NBTZ)₂，Zn(BOX)₂，Gaq₃，Ga₂(saph)₂q₂，Inq₃或Al(OXD)₃。

9.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层中所述有机电子传输材料与所述有机金属配合物的重量比为1:0.3~1:3。

10.根据权利要求9所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层中所述有机电子传输材料与所述有机金属配合物的重量比为1:1.5。

11.根据权利要求1所述的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的厚度为5~50nm。

12.具有权利要求1~11任一项所述电子传输层的有机电致发光器件，其特征在于，包括：基板，和在所述基板上依次镀覆的阳极层、空穴传输层、发光层、所述电子传输层和阴极层。

13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层和空穴传输层之间还设有空穴注入层。

14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层和阴极层之间还设有电子注入层。

15.权利要求14所述的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，步骤如下：

1）在基板上蒸镀或溅射一层阳极层；

2）步骤1）得到的带有阳极层的基板置于真空腔内，抽真空，在所述阳极层膜上蒸镀一层空穴注入层；

3）继续在所述空穴注入层上蒸镀一层空穴传输层；

4）在所述空穴传输层上进行发光层的蒸镀；

5）在所述发光层上，继续蒸镀一层所述电子传输层；

6）在所述电子传输层上，继续蒸镀一层所述电子注入层；

7）最后，在所述电子注入层之上蒸镀阴极层。