[发明专利]一种绝对压力传感器芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种绝对压力传感器芯片，其特征在于，包括绝对压力传感器集成在所述CMOS芯片上；所述绝对压力传感器包含压力敏感单元，所述压力敏感单元包括含有浮栅的场效应管，和嵌入了多晶硅或金属材料作栅极用以感应绝对压力变化的振动膜，所述浮栅嵌入CMOS芯片的介质层中，所述振动膜形成有空腔并被密封。

2.根据权利要求1所述的绝对压力传感器芯片，其特征在于，所述CMOS芯片的背面形成电气连接焊盘。

3.一种绝对压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供CMOS标准集成电路工艺制造的半成品，所述半成品以掺杂硅为衬底，所述衬底生成有集成电路CMOS芯片；

步骤二、在振动膜上形成腐蚀孔，同时牺牲层暴露出来；

步骤三、通过腐蚀孔去除所述牺牲层，使振动膜与下极板之间形成空腔；

步骤四、在振动膜上覆盖保护膜，封闭所述腐蚀孔。

4.根据权利要求3所述的绝对压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，步骤一中，在所述CMOS芯片所在的掺杂硅衬底的背面形成电气连接焊盘。

5.根据权利要求3或4所述的绝对压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述振动膜为为金属层与介质层材料(如氧化硅)的复合层。

6.根据权利要求3或4所述的绝对压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，采用湿法腐蚀或干法反应离子刻蚀去除所述牺牲层，进而形成振动膜与下极板之间的空腔。

7.根据权利要求3或4所述的绝对压力传感器芯片的制作方法，其特征在于，所述保护膜为物理气相沉淀或化学气相沉淀工艺形成的聚合物薄膜。