[发明专利]一种芯片贴装用纳米银浆及其制备方法有效
| 申请号: | 201210426581.6 | 申请日: | 2012-10-31 | 
| 公开(公告)号: | CN102935518A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 | 
| 发明(设计)人: | 李明雨;王帅;计红军 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 
| 主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/00;B82Y40/00;B82Y30/00 | 
| 代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 罗志强;张立娟 | 
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 贴装用 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种制备芯片贴装用纳米银浆的方法,其特征在于,包括以下几个步骤:
步骤A:将还原剂和分散剂滴入硝酸银溶液中,搅拌;
步骤B:将步骤A所得的溶液进行离心分离,得到上层为混合溶液,下层为沉淀的纳米银颗粒;
步骤C:将步骤B分离出的纳米银颗粒用去离子水清洗后,再用电解质溶液絮凝,重新析出可进行离心分离的纳米银颗粒;
步骤D:将纳米银颗粒反复进行清洗、絮凝、离心多次,最终得到水溶性纳米银浆;
步骤E:将步骤D得到的纳米银浆作用于芯片与基板表面进行互连,通过热风工作台或炉中加热形成烧结接头。
2.如权利要求1所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述硝酸银溶液浓度为0.4-1mol/L。
3.如权利要求2所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述步骤A中的滴加速度为10-50ml/min。
4.如权利要求3所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述步骤A中的搅拌速度为100-500r/min,搅拌时间为5-10min。
5.如权利要求4所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述步骤B中的离心分离的转速为2000-5000r/min。
6.如权利要求5所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述步骤C中的电解质溶液采用柠檬酸盐、硝酸盐溶液中的一种或几种。
7.如权利要求6所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述步骤C中的电解质溶液浓度为0.5-2mol/L。
8.如权利要求7所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述还原剂采用硼氢化钠、水合柠檬酸钠、亚铁盐中的一种或者几种;所述分散剂采用聚乙烯吡咯烷酮、柠檬酸钠、水合柠檬酸钠、C6-C12脂肪酸中的一种或几种。
9.如权利要求8所述的芯片贴装用纳米银浆的制备方法,其特征在于,所述步骤D中的烧结温度为150-280℃,烧结时间为10s-20min。
10.一种采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备的芯片贴装用纳米银浆,其特征在于,所述纳米银浆的采用粒径为10nm-30nm的球形银颗粒。
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