[发明专利]从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块

权利要求书

1.一种从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，包括APB总线接口模块、FLASH控制模块和SRAM控制模块；APB总线接口模块用于锁存总线来的地址、数据、片选和使能信号以控制时序；FLASH控制模块用于与APB总线接口模块的交互、从片外FLASH获取数据并将数据传送给SRAM控制单元；SRAM控制模块用于将所接收的数据写入SRAM。

2.根据权利要求1所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述APB总线接口模块包括：读使能寄存器，用于锁存APB总线的Read_Enable信号；读类型寄存器，用于锁存APB总线的Read_Type信号；FLASH地址寄存器，用于锁存Flash数据的初地址；SRAM地址寄存器，用于锁存SRAM接收数据的初地址；地址长度寄存器，用于锁存传送数据长度；Flash ID寄存器，用于锁存Flash ID；Flash Identification寄存器，用于锁存Flash Identification。

3.根据权利要求1所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述FLASH控制模块的读取方式包括：单通道读、双通道读、四通道读中一项或任意多项的组合。

4.根据权利要求3所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述FLASH控制模块的读取FLASH的方式还包括：读FLASH ID、读FLASH Identification、读FLASH状态寄存器高八位和读FLASH状态寄存器低八位。

5.根据权利要求4所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，SRAM数据线为32位，每次读FLASH的操作为8位，所述FLASH控制模块中设置32位寄存器保存FLASH数据，待32位寄存器装满才将数据给出到所述SRAM控制模块。

6.根据权利要求5所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述FLASH控制模块设置两个32位寄存器Reg_A和Reg_B轮流接收数据；当其中一个传送数据到SRAM控制模块的时候，另一个负责继续接收FLASH的数据。

7.根据权利要求6所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述FLASH控制模块通过状态机实现各种读方式，所述状态机的状态包括：空闲状态、发送控制字、单通道发送地址、双通道发送地址、四通道发送地址、双通道或四通道发送连续读模式的控制值、四通道读时发送数据之前的空闲时间、单通道读Reg_A寄存器接收数据、单通道读Reg_B寄存器接收数据、双通道读Reg_A寄存器接收数据、双通道读Reg_B寄存器接收数据、四通道读Reg_A寄存器接收数据以及四通道读Reg_B寄存器接收数据。

8.根据权利要求7所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述SRAM控制模块的输入信号包括：FLASH控制模块输出的Flash_Write_Enable、Flash_DATA、Flash_Operation_End，Flash_Write_Enable是向SRAM写数据的使能信号；Flash_DATA是FLASH传输的数据；Flash_Operation_End是数据传送完成信号；所述SRAM控制模块的输入信号还包括由APB总线控制模块给出的SRAM_Addr，表示SRAM初始地址。

9.根据权利要求8所述的从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块，其特征在于，所述APB总线控制模块还包括SRAM占用寄存器，用于表征SRAM是持续占用或间歇占用；所述SRAM控制模块的输入信号还包括：由APB总线控制模块给出的SRAM_Possession，用于SRAM的占用方式：持续占用时片上系统中除了所述从Flash到SRAM的专用数据传输模块之外的其他模块不能占用SRAM，间歇占用时片上系统中除了所述从Flash到SRAM的专用数据传输模块之外的其他模块可以占用SRAM。