[发明专利]非易失性存储器的基准电流的内置自微调

权利要求书

1.一种方法，包括：

将非易失性存储器（NVM）的基准电流转换为NVM基准电流的数字值，其中所述转换通过与所述NVM基准电流的发生器耦接的模数转换器（ADC）来执行；

将所述NVM基准电流的数字值与目标值的范围比较；

如果所述NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之外，则调整所述NVM基准电流的发生器以产生所调整的NVM基准电流，其中与所调整的NVM基准电流关联的所调整的NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之内；以及

其中所述转换、比较和调整由包括NVM的片上系统的构件执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述调整所述NVM基准电流的发生器以产生所调整的NVM基准电流包括：

如果所述NVM基准电流的数字值小于所述目标值的范围，则将擦除脉冲施加于所述NVM基准电流的发生器；并且

如果所述NVM基准电流的数字值大于所述目标值的范围，则将编程脉冲施加于所述NVM基准电流的发生器，其中

所述NVM基准电流的发生器包括浮栅式基准位单元。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

所述NVM基准电流的发生器与包括多个浮栅式位单元的NVM阵列耦接，并且

所述多个浮栅式位单元包括所述浮栅式基准位单元。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述调整所述NVM基准电流的发生器以产生所调整的NVM基准电流包括：

如果所述NVM基准电流的数字值小于所述目标值的范围，则微调带隙电路以增大所述NVM基准电流；并且

如果所述NVM基准电流的数字值大于所述目标值的范围，则微调所述带隙电路以减小所述NVM基准电流，其中

所述NVM基准电流的发生器包括基于带隙的电路。

5.根据权利要求4所述的方法，所述微调所述带隙电路包括调整基准电流的控制寄存器的值。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

响应于测得的温度值来调整所述NVM基准电流的数字值和所述目标值的范围。

7.一种系统，包括：

非易失性存储器（NVM）阵列；

配置用于生成用来访问所述NVM阵列的NVM基准电流的NVM基准电流的发生器；

模数转换器（ADC），与所述NVM基准电流的发生器耦接，并且被配置用于将所述NVM基准电流转换成NVM基准电流的数字值；

比较器，与所述ADC耦接，并且被配置用于将所述NVM基准电流的数字值与目标值比较；以及

微调逻辑块，与所述比较器耦接，并且被配置用于

给所述NVM基准电流的发生器提供控制信号以在所述NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之外时产生所调整的NVM基准电流，其中所调整的NVM基准电流的数字值处于所述目标值的范围之内。

8.根据权利要求7所述的系统，还包括：

NVM编程/擦除控制器，与所述微调逻辑块和所述NVM基准电流的发生器耦接，并且被配置用于

接收来自所述微调逻辑块的所述控制信号，

如果所述控制信号包括所述NVM基准电流的数字值低于所述目标值的范围的下限的标记，则响应于所述控制信号给所述NVM基准电流的发生器提供擦除脉冲，并且

如果所述控制信号包括所述NVM基准电流的数字值大于所述目标值的范围的上限的标记，则响应于所述控制信号给所述NVM基准电流的发生器提供编程脉冲；并且

所述NVM基准电流的发生器包括浮栅式基准位单元。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述NVM阵列包括所述浮栅式基准位单元。

10.根据权利要求8所述的系统，还包括：

一个或更多个寄存器，与所述比较器耦接，存储所述目标值的范围的下限和所述目标值的范围的上限。