[发明专利]用于中介片的电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成从衬底的表面延伸到所述衬底中的通孔；

形成位于所述衬底的表面上方的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层中形成第一金属层，所述第一金属层与所述通孔电连接；

形成位于所述第一金属层上方的电容器，其中，所述电容器包括位于所述第一金属层上方的第一电容器介电层和位于所述第一电容器介电层上方的第二电容器介电层；以及

在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述电容器；

在所述第二绝缘层上方形成蚀刻终止层；

在所述蚀刻终止层上方形成第三绝缘层，并且在所述第三绝缘层内形成与所述电容器连接的第二金属层，其中，所述第二金属层部分地在介于所述蚀刻终止层的底面和第一金属层之间的所述第二绝缘层内，并且所述第二金属层部分地在所述第三绝缘层内；

其中，所述电容器通过形成在所述第二绝缘层中的第一通孔插塞与所述第二金属层电连接；以及

所述第一金属层通过形成在所述第二绝缘层中的第二通孔插塞与所述第二金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述电容器包括两个金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。

3.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述电容器包括位于所述第一金属层上方的第一电极层、位于所述第一电极层上方的第二电极层以及位于所述第二电极层上方的第三电极层。

4.根据权利要求3所述的形成半导体器件的方法，其中，所述第一电极层的面积大于所述第二电极层的面积。

5.根据权利要求3所述的形成半导体器件的方法，其中，所述第二电极层的面积大于所述第三电极层的面积。

6.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，还包括：在形成所述电容器之前，在所述第一金属层上方形成介电层。

7.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述衬底包括硅中介片。

8.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述电容器包括平面电容器。

9.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，所述通孔包括铜。

10.一种半导体器件，包括：

中介片，包括延伸穿过所述中介片的至少一部分的通孔；

第一金属层，位于所述中介片上方并与所述通孔电连接；

第二金属层，位于所述第一金属层上方并与所述第一金属层电连接；以及

第一绝缘层形成在所述第一金属层和所述第二金属层之间；

蚀刻终止层，位于所述第一绝缘层上方；

第二绝缘层，位于所述蚀刻终止层上方，其中，所述第二金属层部分地在介于所述蚀刻终止层的底面和第一金属层之间的所述第一绝缘层内，并且所述第二金属层部分地在所述第二绝缘层内；

电容器，形成在所述第一绝缘层中并设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间；

第一通孔插塞，形成在所述第一绝缘层中，其中，所述电容器通过所述第一通孔插塞与所述第二金属层电连接；

第二通孔插塞，形成在所述第一绝缘层中，其中，所述第一金属层通过所述第二通孔插塞与所述第二金属层电连接。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述中介片包括硅。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述通孔包括铜。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电容器包括至少两个金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的堆叠件。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电容器包括双介电层电容器。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：位于所述电容器的底部电极和所述第一金属层之间的一个或多个介电层。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电容器包括平面电容器。

17.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电容器包括第一电极层、第二电极层、第三电极层、位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的第一电容器介电层以及位于所述第二电极层和所述第三电极层之间的第二电容器介电层。