[发明专利]一种石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201210424654.8 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102976313A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王业亮;李林飞;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯；
2）将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上；
3）对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，插层所用的石墨烯是通过高温热分解含碳气体的方法生长在过渡金属基底上的。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于外延生长石墨烯的过渡金属基底为铱的（111）面。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，金属铪是通过电子束蒸发的方法沉积在石墨烯上的。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行铪插层的退火温度为300℃~450℃。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，退火温度为400℃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铪插层为周期为5.4nm的超结构，该周期性超结构可以被扫描隧道显微镜和低能电子衍射所表征。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属铪也可以是银或钇。
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