[发明专利]具有双晶铜线路层的电路板及其制作方法在审
申请号: | 201210424138.5 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN103730445A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈智;萧翔耀 | 申请(专利权)人: | 财团法人交大思源基金会 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 双晶 铜线 电路板 及其 制作方法 | ||
1.一种具有双晶铜线路层的电路板,其特征在于,包括:
一衬底,其至少一表面设有一第一线路层,且该第一线路层包括一电性连接垫;
一第一介电层,设置于该衬底及该第一线路层的表面,其中该第一介电层具有多个开口以显露该电性连接垫;以及
一第二线路层,形成于该第一介电层的一表面,该第二线路层包括多个第一导电盲孔,每一该第一导电盲孔对应设置于该开口中以电性连接该电性连接垫,且该第二线路层的材料为一纳米双晶铜。
2.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,该第一介电层还具有多个沟槽,该第二线路层还包括一第一线路,且该第一线路设置于该沟槽中。
3.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,该纳米双晶铜的50%以上的体积包括多个晶粒。
4.根据权利要求3所述的电路板,其特征在于,该多个晶粒为柱状双晶体。
5.根据权利要求3所述的电路板,其特征在于,该多个晶粒彼此间互相连接,该每一晶粒由多个纳米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成,且相邻的该晶粒间的堆叠方向的夹角是0至20度。
6.根据权利要求1所述的电路板,其特征在于,还包括一线路增层结构,设置于该第一介电层及该第二线路层的表面,其中该线路增层结构包括至少一第二介电层、至少一第三线路层、及多个第二导电盲孔,且部分该第二导电盲孔电性连接该第二线路层。
7.根据权利要求6所述的电路板,其特征在于,该第三线路层的材料为一纳米双晶铜。
8.根据权利要求7所述的电路板,其特征在于,该纳米双晶铜的50%以上的体积包括多个晶粒。
9.根据权利要求8所述的电路板,其特征在于,该多个晶粒为柱状双晶体。
10.根据权利要求8所述的电路板,其特征在于,该多个晶粒彼此间互相连接,该每一晶粒由多个纳米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成,且相邻的该晶粒间的堆叠方向的夹角是0至20度。
11.一种具有双晶铜线路层的电路板的制作方法,其特征在于,包括下列步骤:
A,提供一衬底,其至少一表面设有一第一线路层,且该第一线路层包括一电性连接垫;
B,形成一第一介电层于该衬底的至少一表面上;
C,形成多个开口于该第一介电层中,其中每一该开口贯穿该第一介电层并对应于该电性连接垫以显露该电性连接垫;
D,于该开口中形成一铜晶种层;
E,以一电镀法于该开口中沉积一纳米双晶铜层;以及
F,退火处理该衬底以转换该铜晶种层成纳米双晶铜,且该纳米双晶铜层及转换后的该铜晶种层形成一第二线路层,而该第二线路层包括多个形成于该开口中的第一导电盲孔。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,步骤C为:形成多个开口及多个沟槽于该第一介电层中,其中每一该开口贯穿该第一介电层并对应于该电性连接垫以显露该电性连接垫;步骤D为:分别于该开口及该沟槽中形成一铜晶种层;步骤E为:以一电镀法分别于该开口及该沟槽中沉积一纳米双晶铜层;以及步骤F为:退火处理该衬底以转换该铜晶种层成纳米双晶铜,且该纳米双晶铜层及转换后的该铜晶种层形成一第二线路层,而该第二线路层包括多个形成于该开口中的第一导电盲孔、及一形成于该沟槽中的第一线路。
13.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,该纳米双晶铜的50%以上的体积包括多个晶粒。
14.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,该多个晶粒为柱状双晶体。
15.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,该多个晶粒彼此间互相连接,该每一晶粒由多个纳米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成,且相邻的该晶粒间的堆叠方向的夹角是0至20度。
16.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,在步骤F后还包括一步骤G:于该第一介电层及该第二线路层的表面上形成一线路增层结构,其中该线路增层结构包括至少一第二介电层、至少一第三线路层、及多个第二导电盲孔,且部分该第二导电盲孔电性连接该第二线路层。
17.根据权利要求16所述的制作方法,其特征在于,该第三线路层的材料为一纳米双晶铜。
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