[发明专利]掉电告警控制电路有效

专利信息
申请号: 201210423937.0 申请日: 2012-10-29
公开(公告)号: CN102938553A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 李响;胡保民;任波;田明;江伟 申请(专利权)人: 武汉长光科技有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24;H02H9/02
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平
地址: 430073*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 掉电 告警 控制电路
【权利要求书】:

1.一种掉电告警控制电路,其特征在于,包括隔离模块和均与其连接的缓启动模块、DYING-GASP能量存储模块和监控模块;

所述监控模块,用于上电后进行上电复位,在上电复位这段时间,控制给DYING-GASP能量存储模块充电,以及掉电后将所述DYING-GASP能量存储模块中的能量输出给系统做掉电告警操作,其DYING-GASP门限值大于所在系统的正常工作电压值;

所述缓启动模块,用于上电后抑制上电尖峰电流;

所述DYING-GASP能量存储模块,用于在上电时存储掉电告警能量;

所述隔离模块,用于在掉电时隔离输入电压和所述DYING-GASP能量存储模块。

2.根据权利要求1所述的掉电告警控制电路,其特征在于,所述缓启动模块包括并联的电容和电阻,并联的一端通过一电阻接地,并联的另一端连接电源电压,该缓启动模块还包括第一P沟道的MOSEFT,其栅极和源极与并联的电容和电阻的两端连接,且其源极连接电源电压。

3.根据权利要求2所述的掉电告警控制电路,其特征在于,所述监控模块包括具有电压检测功能的复位芯片,以及第一N沟道的MOSEFT和第二N沟道的MOSEFT,所述第一N沟道的MOSEFT的栅极与该复位芯片连接,所述第一N沟道的MOSEFT的漏极与所述第二N沟道的MOSEFT的栅极连接,所述第一N沟道的MOSEFT的源极接地;所述第二N沟道的MOSEFT的漏极通过一电阻与所述隔离模块连接,所述第二N沟道的MOSEFT的源极接地。

4.根据权利要求3所述的掉电告警控制电路,其特征在于,所述复位芯片的门槛值大于所在系统正常工作电压值。

5.根据权利要求4所述的掉电告警控制电路,其特征在于,所述DYING-GASP能量存储模块包括多个并联的电容。

6.根据权利要求5所述的掉电告警控制电路,其特征在于,所述隔离模块包括第二P沟道的MOSEF,其源极与所述DYING-GASP能量存储模块连接,其栅极通过一电阻与第二N沟道的MOSEFT的漏极连接,其漏极通过二极管与所述第一P沟道的MOSEFT的漏极连接,且该源极连接系统电源电压。

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