[发明专利]太阳能液晶面板及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能液晶面板，包括太阳能电池和TFT结构，其特征在于：

所述TFT结构包括：位于底部的栅极、位于栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的第一i型非晶硅层、位于第一i型非晶硅层上的源极n型非晶硅层和漏极n型非晶硅层、源极、以及漏极；

所述太阳能包括位于底层的第二ITO透明电极、第二p型a-Si层、第二i型非晶硅层、以及太阳能n型非晶硅层，其中，第二i型非晶硅层与第一i型非晶硅层同时形成但位于不同的平面上，且所述源极一端位于源极n型非晶硅层上，源极的另一端位于第二i型非晶硅层上，所述漏极一端位于漏极n型非晶硅层上，漏极的另一端位于第二i型非晶硅层上。

2.根据权利要求1所述的太阳能液晶面板，其特征在于：所述第二ITO透明电极与第二p型a-Si层加一起的厚度低于绝缘层的厚度。

3.根据权利要求1所述的太阳能液晶面板，其特征在于：所述TFT结构还包括位于顶层的信号线、扫描线和透明电极。

4.根据权利要求1所述的太阳能液晶面板，其特征在于：所述TFT结构还包括保护层。

5.根据权利要求3所述的太阳能液晶面板，其特征在于：所述保护层上开有若干接触孔。

6.一种太阳能液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上形成栅极图形，接着形成绝缘层图形，并在形成绝缘层图形后不移除绝缘层光阻，接着连续生成ITO透明电极和p型a-Si层，定义位于绝缘层光阻上的为第一ITO透明电极和第一p型a-Si层、位于基板上的为第二ITO透明电极和第二p型a-Si层；然后剥离绝缘层光阻；

第二步：在形成上述图案的基础上形成i型非晶硅层，定义位于绝缘层上的为第一i型非晶硅层、位于第二p型a-Si层为第二i型非晶硅层。

第三步：在形成第二步图案的基础上形成n型非晶硅层，并制作n型非晶硅层图形，形成位于第一i型非晶硅层上的源极n型非晶硅层、漏极n型非晶硅层、并将TFT通道处的n型非晶硅层移除、位于第二i型非晶硅层上的太阳能n型非晶硅层；

第四步：在形成第三步图案的基础上形成源极图形和漏极图形，所述源极位于源极n型非晶硅层与第二i型非晶硅层之间，所述漏极位于漏极n型非晶硅层与第二i型非晶硅层之间；

第五步：在形成第四步图案的基础上覆盖保护层，并在保护层上制作接触孔；

第六步：在形成第五步图案的基础上，形成透明电极和信号线金属，信号线金属形成扫描线和数据线。

7.根据权利要求6所述的太阳能液晶面板的制作方法，其特征在于：所述第二ITO透明电极与第二p型a-Si层加一起的厚度低于绝缘层的厚度。

8.根据权利要求6所述的太阳能液晶面板的制作方法，其特征在于：所述第五步形成的接触孔有：在源极上形成第一接触孔和第二接触孔；在漏极上形成第三接触孔；在栅极上形成第四接触孔。

9.根据权利要求6所述的太阳能液晶面板的制作方法，其特征在于：透明电极通过第三接触孔与漏极电性连接，扫描线通过第四接触孔与栅极电性连接，数据线通过第一接触孔和第二接触孔与源极电性连接。