[发明专利]碳化硅MOSFET单元结构和用于形成碳化硅MOSFET单元结构的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在第一材料层之内形成阱（114/115），所述阱（114/115）在XY横截平面内具有大致U形，所述第一材料层掺杂第一导电型，所述阱（114/115）掺杂第二导电型，以及所述阱（114/115）的直立腿之间的中间区域（118/119）掺杂第二导电型；

在所述中间区域（118/119）之内形成第一和第二源极（122/123/124/125），所述第一和第二源极（122/123/124/125）沿X方向隔开并且掺杂所述第一导电型；

在所述中间区域（118/119）之内形成体区域（118/119），所述体区域（118/119）在所述第一和第二源极（122/123/124/125）之间并且掺杂第二导电型；

在所述中间区域（118/119）之内形成源极横档（262）；

其中，形成所述第一和第二源极（122/123/124/125）、形成所述体区域（118/119）以及形成所述源极横档（262）各包括采用自对准技术，其进一步包括：掩蔽所述第一和第二源极（122/123/124/125）、掩蔽连接所述第一和第二源极（122/123/124/125）的横档区域（262）以及反面掺杂暴露区域为第二导电型；

其中，体区域（252）布置在两个连续的源极横档（262）之间，每个源极横档（262）沿所述X方向延伸并且所述源极横档（262）在Z方向隔开，各源极横档（262）在沿着所述第一和第二源极（122/123/124/125/260）的不同位置处连接所述第一和第二源极（122/123/124/125/260）；以及

确定源极横档（262）面积和体区域（252）面积的比例以控制在所述源极横档（262）和所述体区域（252）之间的接触电阻；

其中，从第一材料层的右侧至左侧来限定X方向，Y方向垂直于第一材料层的表面延伸，Z方向延伸至纸或显示器表面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在衬底（108）的第一表面之上形成漏极接触（104），所述衬底（108）掺杂第一导电型；以及

在所述衬底（108）的第二表面上形成外延层，所述第一表面在所述第二表面的对面，所述外延层（108）掺杂第一导电型，所述外延层包括所述第一材料层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述阱（114/115）包括：

在所述外延层的上表面之上形成平行隔开的第一和第二掩模（224/225），中心线在所述第一和第二掩模（224/225）之间沿Z方向延伸；以及

利用第二导电型的掺杂剂反面掺杂在所述第一和第二掩模（224/225）之间的所述外延层的暴露区域，来形成从所述外延层的所述上表面沿Z方向并沿Y方向延伸的所述阱（114/115）。