[发明专利]半导体衬底的表面处理方法有效
| 申请号： | 201210422897.8 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102909639A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 表面 处理 方法 | ||
1.一种半导体衬底的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底；
研磨减薄所述半导体衬底的一表面；
采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；
采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面的步骤，进一步是采用双面抛光工艺。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面的步骤，进一步是采用单面抛光工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面的步骤，进一步是采用单面抛光工艺。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面的步骤，进一步是采用单面抛光工艺，且包括粗抛光步骤和精细抛光步骤。
6.一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供支撑衬底；
研磨减薄支撑衬底的一表面；
采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；
采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；
提供器件衬底；
在器件衬底的抛光表面和/或支撑衬底的一表面形成绝缘层；
以绝缘层为中间层，将支撑衬底和器件衬底键合在一起。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：
研磨减薄所述器件衬底的暴露表面；
采用氧化物抛光浆料抛光所述器件衬底的被研磨减薄的表面；
采用半导体衬底抛光浆料抛光所述器件衬底的被研磨减薄的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新傲科技股份有限公司，未经上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210422897.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
