[发明专利]振荡装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种振荡装置，该振荡装置检测晶体振动子所处的温度，基于温度检测结果来进行输出频率的温度补偿。

背景技术

当将晶体振荡器（crystal oscillator）装入至需要极高频率稳定度的应用系统（application）时，通常一般是使用恒温槽控制晶体振荡器（Oven Controlled Crystal Oscillator，OCXO），而OCXO装置规模大，且耗电大。因此，研究了利用构成简单且耗电少的温度补偿晶体振荡器（Temperature Compensated Crystal Oscillator，TCXO），然而，与OCXO相比，TCXO的缺点在于频率对温度的稳定度差。

图20表示TCXO的一般构成。90是晶体振动子，91是振荡电路，通过改变从控制电压产生部93供给至电压可变电容元件92的控制电压，来控制电压可变电容元件92的电容，而调整振荡频率（输出频率）。

晶体振动子90的频率会根据温度发生变化，因此，控制电压产生部93根据由温度检测器94检测出的温度，来修正控制电压。具体来说，在存储器95内存储例如3次函数，即：将晶体振动子90的频率温度特性以基准温度进行标准化后的函数，且基于所述函数（频率温度特性），而读出与温度检测值相对应的频率。即，将相对于基准温度时的频率来说、此时的温度下的频率的偏移程度予以读出，且将与所述频率的偏移量相对应的控制电压作为温度补偿量，而从对应于基准温度时的频率的控制电压中扣除。

然而，若要进行极微细的温度修正控制，则规定频率温度特性的函数的数据量变大，存储器95需要大容量，因此会导致高价格。另外，由于温度检测器通常是使用热敏电阻（thermistor），因此即便增大所述数据量，但因温度检测器的检测精度存在极限，而无法期待频率精度的提高。

另外，温度检测器94与晶体振动子90的配置位置不同，故无法准确获得晶体振动子90的实际的温度信息，从该观点来说，也无法期待频率精度的提高。

在专利文献1的图2及图3中，记载了：将2对电极设置在共通的晶体片，而构成2个晶体振动子（晶体共振器）的内容。而且，在段落0018中记载了与如下方法相同的方法，即，由于根据温度变化，2个晶体振动子之间会出现频率差，因此，通过测量所述频率差，来对温度进行测量。而且，将所述频率差Δf与应修正的频率的量的关系存储到只读存储器（Read Only Memory，ROM），基于Δf来将频率修正量予以读出。

但是，如段落0019所记载，所述手法必须对晶体振动子进行调整，以使所期望的输出频率f0、与2个晶体振动子的各自的频率f1、f2，处于的关系，因此，存在如下问题，即，晶体振动子的制造步骤变得复杂，且无法获得高良率。另外，如专利文献1的图4所示，以固定时间对来自各晶体振动子的频率信号即时脉（clock）进行计数（count），而求出上述差分（f1-f2），因此，检测精度会对检测时间产生直接影响，从而难以进行高精度的温度补偿。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2001-292030号

发明内容

本发明是鉴于此种情况研究而成的发明，本发明的目的在于：提供一种能够高精度地进行输出频率的温度补偿的振荡装置。

本发明是一种振荡装置，基于环境温度的检测结果，对用于设定输出频率的设定信号进行修正，该振荡装置的特征在于包括：

第1晶体振动子，在晶体片上设置第1电极而构成；

第2晶体振动子，在晶体片上设置第2电极而构成；

第1振荡电路及第2振荡电路，分别连接在所述第1晶体振动子及第2晶体振动子；

频率差检测部，将第1振荡电路的振荡频率设为f1，将基准温度时的第1振荡电路的振荡频率设为f1r，将第2振荡电路的振荡频率设为f2，将基准温度时的第2振荡电路的振荡频率设为f2r，所述频率差检测部求出与如下差分值对应的值，上述差分值是对应于f1与f1r的差分的值、和对应于f2与f2r的差分的值之间的差分值；

第1修正值取得部，基于第1近似式而取得第1修正值，该第1近似式表示：对应于所述频率差检测部检测出的所述差分值的值、对应于所述差分值的值、及因环境温度与基准温度不同引起的第1振荡电路的振荡频率f1的频率修正值之间的关系；