[发明专利]二氧化锡陶瓷电极的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于陶瓷技术领域，涉及一种二氧化锡陶瓷电极的制备方法。

背景技术

SnO₂陶瓷电极以其高温导电能力强、耐熔融玻璃液侵蚀、不易被玻璃熔体中其它金属离子置换、不会对玻璃着色、对玻璃液澄清效果好，易排除气泡等优异性能，近年来在玻璃熔窑中得到广泛应用。但由于SnO₂烧结能力差，烧成收缩大，烧结过程中易变形开裂、常温电阻高等缺点，国内外对SnO₂陶瓷电极进行了大量的研究。

美国专利U.S.3287284公开了添加0.1-0.5%的CuO、0.5-0.8%的ZnO、0.7-1.2%Sb₂O₃材料，其余为SnO₂，制造SnO₂陶瓷电极的技术。

公开号为CN 101001815A的中国专利，公开了添加a%CuO（0.025-0.35%）、b%ZnO（约0.5%）、c%Sb₂O₃（0.5-1.5%）材料制得二氧化锡陶瓷电极；且0.2≤（a+b)/c＜1.0时，制得二氧化锡陶瓷电极开口气孔率＜0.7%、电阻率≤1.0ohm.cm。同一发明人又在公开号为CN102227781A的专利中，揭示了CuO和ZnO总量不大于0.3%，并且ZnO的量值在0.1%与0.19%之间的范围内，Sb₂O₃约1.0%时，解决了CN 101001815A所述制品的内部宏观裂纹问题。

中国专利公开号为CN85100034A公开由二氧化锡陶瓷构成的电磁流量计陶瓷材料,以SnO₂为100%;CuO为0-5%、Sb₂O₃为0.1-10%、Zn0为0.4-2%；PbO为0.007%、Fe₂O₃为0.05%，采用氧化气氛下在1300-1360℃烧成了耐强酸侵蚀的二氧化锡陶瓷。

中国专利公开号为CN10149966A的专利揭示了以SnO₂为100%，烧结助剂CuO和MnO为0.5-1.0%、Sb₂O₃为0.1-1.0%、采用配料、造粒、等静压成型、在空气气氛下、1200-1450℃烧成，制得室温导电率为181.55S.cm^-1的二氧化锡陶瓷电极。

中国专利公开号为CN101948034A的专利揭示了以SnO₂为100%，烧结助剂氢氧化铜或碳酸铜为0.2-1.5%、金属Sb为0.05-1.0%，采用配料、球磨混料、烘干、冷等静压成型、在0.1-0.2Mpa的氧气中，1450-1500℃烧成，制得室温电阻率为1.7-21.5ohm.cm的二氧化锡陶瓷电极。

中国专利申请CN101830694A公开了以SnO₂为100%，烧结助剂Sb₂O₃为0.5-1.5%、Zn0为0.1-1.5%、Pr₆O₁₁为0.1-1.5%，三种添加剂总和占1.0-3.0%、和0.05-0.5%的硅酸钠；采用球磨、烘干、冷等静压成型、修坯，在1500-1550℃烧成，制得杂质PbO≤140ppm、Fe₂O₃≤150ppm、CuO≤20ppm的高纯度二氧化锡电极陶瓷，用于磷酸盐类激光玻璃的生产。

中国专利申请CN102234194A公开了以SnO₂为94-98%、Zr0₂为1-6%、Sb₂O₃为0.5-1.5%、Zn0为0.1-1.5%、CuO为0.01-0.1%、Ce0₂为0.01-0.1%，和0.01-0.1%的三聚磷酸钠；采用球磨、烘干、冷等静压成型、修坯、在1510-1550℃烧成，制得使用温度可以达到1600-1650℃、用于LCD玻璃生产的二氧化锡陶瓷电极材料。