[发明专利]一种掩膜板及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201210418464.5 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN102944974A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 王凤国 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F7/00;G03F7/30;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 阵列 制造 方法 | ||
1.一种掩膜板,包括基板,设置于基板上的第一图案区及第二图案区,第一图案区对应于阵列基板的像素区,第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区,其特征在于,
所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域,当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时,所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域,所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域,其中,所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线,所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述部分透射区域设置有掩膜材料层。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。
5.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成源漏极层;
在所述源漏极层上涂覆光刻胶;
使用权利要求1-4任意一项所述的掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域,与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域;
采用刻蚀工艺,刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述源漏极层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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