[发明专利]一种金属薄膜桥点火器及其制备方法

权利要求书

1.一种金属薄膜桥点火器，其特征在于，所述金属薄膜桥点火器（1）包括基片（2），设于基片（2）上的过渡膜（3），设于过渡层薄膜（3）上的热隔离膜（4），设于热隔离膜（4）上的金属电阻膜（5），设于金属电阻膜（5）上的电极薄膜（6），设于电极薄膜（6）上的通孔（13）；所述基片（2）材料为聚酰亚胺；所述过渡层薄膜（3）材料为Ta₂O₅；所述热隔离膜（4）材料为SiO₂。

2.如权利要求1所述的金属薄膜桥点火器，其特征在于，所述基片（2）直径为100mm～400mm，厚度为30μm～200μm；所述过渡层薄膜（3）厚度为0.05μm～0.1μm；所述热隔离膜（4）厚度为0.1μm～1μm；所述金属电阻膜厚（5）度为0.2μm～4μm；所述电极薄膜（6）厚度为0.05μm～0.1μm。

3.如权利要求1所述的金属薄膜桥点火器，其特征在于，所述金属电阻膜（5）材料为Ni-Cr合金、Ta₂N、Cr、Pt、W中的一种。

4.如权利要求1所述的金属薄膜桥点火器，其特征在于，所述金属电阻膜（5）材料为Ni-Cr合金。

5.如权利要求1所述的金属薄膜桥点火器，其特征在于，所述电极薄膜（6）材料为Au。

6.一种如权利要求1～5之一所述金属薄膜桥点火器的制备方法，包括如下步骤：

（1）清洗聚酰亚胺基片；

（2）将基片装入夹具，放入镀膜系统行星架上，通过物理气相淀积的方式在基片表面沉积Ta₂O₅过渡层薄膜；

（3）通过物理气相淀积技术在Ta₂O₅过渡层薄膜表面淀积SiO₂热隔离膜；

（4）再以物理气相淀积的方式在SiO₂热隔离膜表面制备Ni-Cr合金薄膜； 

（5）通过光刻技术在Ni-Cr合金薄膜表面制备薄膜桥形状的光刻胶掩膜层； 

（6）通过干法刻蚀或者湿法腐蚀技术完成Ni-Cr合金薄膜桥的加工；

（7）利用光刻技术制作电极区的光刻胶掩膜层，以光刻胶对电极区域之外的地方进行保护； 

（8）通过物理气相淀积的方法沉积Au薄膜，然后剥离步骤（7）中所述的光刻胶掩膜层，清洗，形成电极区；

（9）以机械打孔方式在电极区制作通孔；

（10）裁剪划片形成Ni-Cr合金薄膜桥。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（6）中刻蚀的深度为Ni-Cr合金薄膜厚度。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（9）所述通孔（13）的直径等于陶瓷插塞（10）极针（7）的直径。