[发明专利]快闪存储器控制器和快闪存储器控制方法有效
| 申请号: | 201210414398.4 | 申请日: | 2012-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN103680638A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 欧旭斌 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 闪存 控制器 控制 方法 | ||
技术领域
本揭露有关于快闪存储器装置,特别有关于一种嵌入式快闪存储器装置。
背景技术
非挥发快闪存储器(non-volatile memory)被广泛使用在很多应用中,例如固态硬盘(solid-state disk,SSD)、存储卡、数码相机、数码摄影机、多媒体播放器、移动电话、电脑和许多其他电子装置。
然而,当储存在快闪存储器中的处理数据(例如固件firmware、表单table)遗失或受损时,会导致快闪存储器控制器的处理单元无法正常操作,使得使用者无法读取快闪存储器中的内容。因此,亟需要一种快闪存储器控制器,使得当储存在快闪存储器中的处理数据受损时,仍可分析并拯救快闪存储器的数据。
发明内容
有鉴于此,本揭露提供一种快闪存储器控制器,包括:一读写单元,连接一快闪存储器,并用以执行一写入指令或一读取指令;一状态单元,用以判断该快闪存储器控制器的状态;一处理单元,连接该读写单元与该状态单元,用以操作该读写单元;以及一备用单元,连接一第一数据线、一第二数据线与该读写单元,其中当该快闪存储器控制器无法正常运作时,该备用单元通过该第一数据线与该第二数据线接收一外部信号,并依照该外部信号控制该读写单元。
本揭露亦提供一种快闪存储器控制器,适用于具有读写单元、状态单元和处理单元的快闪存储器控制器与快闪存储器,包括:判断该快闪存储器控制器是否正常运作;当该快闪存储器控制器无法正常运作时,经由该快闪存储器控制器的备用单元通过第一数据线与第二数据线接收外部信号;以及依照该外部信号控制该读写单元。
为了让本发明的该和其他目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举一较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下:
附图说明
图1本揭露的快闪存储器控制器190的一示意图;
图2本揭露的快闪存储器装置200的一示意图;
图3本揭露的快闪存储器控制方法的一流程图;以及
图4本揭露的快闪存储器控制方法的另一流程图。
主要元件符号说明:
190:快闪存储器控制器; 110:读写单元;
120:状态单元; 130:处理单元;
140:辅助单元; 150:快闪存储器;
160、260:传输通道; 270:主控装置;
280:备用单元控制器;
190:快闪存储器控制器;
111:快闪存储器存取状态机;
112:静态随机存取存储器;
CLK:时脉信号线;
CMD:命令信号线;
ES:外部信号;
DS:修眠信号;
PD:处理数据;
DAT0~DAT3:数据线;
200:快闪存储器系统。
具体实施方式
前文已对本发明做各特征的摘要,请参考本文及附图,于此将做更详细的描述。本发明配合附图做详细的描述,然而非用以限制本发明。相反的,在不脱离权利要求书中所界定的范围及精神,本发明当可做所有型式的更动及润饰。
图1本揭露的快闪存储器控制器190的一示意图。如图1所示,快闪存储器控制器190包括一读写单元(read/write unit)110、一状态单元(state machine)120、一处理单元130和一备用单元(reserve unit)140。读写单元110连接一快闪存储器150,并用以执行一写入指令或一读取指令。
详细而言,读写单元110包括一快闪存储器存取状态机(flash access statemachine)111和一静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)112。快闪存储器存取状态机111耦接于处理单元130和快闪存储器150之间,用以执行一写入指令或一读取指令。快闪存储器150可以是与非栅型(NAND)快闪存储器(flashmemory)或或非栅型(NOR)快闪存储器。
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