[发明专利]一种半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210413489.6 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779267A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有多孔低K介质层；
刻蚀所述多孔低K介质层形成凹槽结构；
对所述刻蚀后的多孔低Ｋ介质层进行有机气体处理；及
对所述有机气体处理后的多孔低K介质层进行等离子体处理，以形成密实的表面。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机气体处理为：
在压强0.65~7torr，氮气和/或氦气的氛围下，通入流量为50~2000sccm的有机气体。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机气体为甲烷。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理为：
在压强0.65~7torr，功率50~2000w下，通入流量为50~2000sccm的氩气。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理为：
在压强0.65~7torr，功率50~2000w下，通入流量为50~2000sccm的氦气。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理为：
在压强0.65~7torr，功率50~2000w下，通入流量为50~2000sccm的氩气和氦气的混合气体。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述多孔低K介质层形成凹槽结构之后，对所述刻蚀后的多孔低Ｋ介质层进行有机气体处理之前，还包括如下工艺步骤：
对所述刻蚀后的多孔低Ｋ介质层进行去湿处理。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述有机气体处理后的多孔低K介质层进行等离子体处理后，还包括如下工艺步骤：
在所述凹槽结构中依次形成扩散阻挡层和铜种籽层，所述扩散阻挡层覆盖所述密实的表面；
在所述凹槽结构中形成金属层。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成扩散阻挡层和铜种籽层过程中，使用氙气、氪气及氖气。
10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述多孔低K介质层形成凹槽结构之前，在所述多孔低K介质层上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层、第一阻挡层及氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
