[发明专利]一种高精密射频同轴连接器结构

权利要求书

1.一种高精密射频同轴连接器结构，包括外导体、内导体和绝缘支撑，所述的内导体和绝缘支撑均设在外导体内，绝缘支撑套在内导体上，其特征在于，所述的外导体内设有相连通的大直径空腔和小直径空腔，所述的内导体包括相连接的小直径段导体和大直径段导体，所述的绝缘支撑为空心圆柱形，其一端的外周沿底面向外延伸形成有第一环形补偿台阶，该端底部沿绝缘支撑的空心处轴向延伸形成有第二环形补偿台阶，所述的绝缘支撑沿大直径空腔插接在小直径空腔内，绝缘支撑的第一环形补偿台阶抵接在大直径空腔与小直径空腔之间形成的台阶面上，所述的内导体的小直径段导体沿第二环形补偿台阶插进绝缘支撑，大直径段导体留在大直径空腔内。

2.根据权利要求1所述的一种高精密射频同轴连接器结构，其特征在于，所述的小直径空腔的直径、大直径空腔的直径、小直径段导体的直径和大直径段导体的直径满足公式：ε_r为绝缘支撑的介电常数，D11为小直径空腔的直径，D31为小直径段导体的直径，ε₀为空气的介电常数，D12为大直径空腔的直径，D32为大直径段导体的直径。

3.根据权利要求2所述的一种高精密射频同轴连接器结构，其特征在于，所述的第二环形补偿台阶的外直径大于或等于大直径段导体的直径，且小于或等于绝缘支撑的外直径。