[发明专利]一种高响应的DIP整流桥的工艺

说明书

技术领域

本发明涉及电子领域，预提是高响应DIP整流桥的制作工艺。 

背景技术

传统的DIP产品封装用芯片仅为玻璃钝化的芯片，其不足之处是反向恢复时间长，正向电压大，如果封装萧特基芯片，芯片需要人工分向，生产效率低，且是用预焊的方式，良率低，经过二次高温的焊接，还会导致产品的潜在可靠性风险。其生产效率仅有8.4K/人/12小时，常规电性良率仅有88%。其工艺流程如附图1所示。 

本技术由于缺点较多，因此，替换本工艺的研究迫在眉睫，但目前没有相关报道。 

发明内容

本发明的主要任务在于提供一种高响应的DIP整流桥的工艺。 

为了解决以上技术问题，本发明的一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤。 

所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉（T_peak=440-460℃）退火，目的是将框架通过高温退火，使框架变软，减少应力。 

所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。 

所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉（T_peak=350-360℃）使芯片与框架焊接在一起。 

进一步地，所述芯片的分向的具体步骤如下：将晶粒倒在硬纸板上，轻轻地上下颠簸3~5次，利用芯片P、N面金属不同的、其受力不一样的原理，使芯片的P面全部朝上，然后再将P面朝上的芯片用纸板集中拨到吸盘内，在轻摇吸盘，使吸盘自动落入吸孔内。 

本发明的优点在于：1、利用芯片P、N面金属层不一样的，且其密度不一样的原理，在硬板上轻轻地垫， 减少了人工在分向过程中操作对芯片的碰撞使其损伤，从而确保其常规电性良率，以及可靠性，效率方面减少了人工分向； 

2、封装焊接采用刷胶工艺进行一次焊接工艺，有效解决传统的焊接工艺中芯片需采用预焊工艺而产生的二 次焊接工艺，减少因二次焊接产生的热应力及机械损伤造成的良率问题以及产品的可靠性能问题潜在风险；

3、封装选用耐热性、热膨胀系数、电气特性、耐湿性、结合力等特性参数较好环氧塑封料，从而使产品的常规电性良率跟传统的桥式整流器有一个明显的提升，且产品的可靠性又能得到保证；

4、将框架高温退火（温度440-460℃），与传统的封装方式比较，可以减少因框架硬度的问题可提升焊接良率，减少电性衰降；

5、其生产效率可达30K/人/12小时，常规电性良率可达94%；

6、由于芯片表面为金属-半导体直接接触，故频率高，反向恢复时间短，Trr≤15ns，可靠性能好。

附图说明

附图1为本发明背景技术中所述传统的DIP产品生产工艺流程图。 

具体实施方式

本实施例是高响应的DIP整流桥的工艺。主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤： 

步骤1）、框架退火工艺：将框架通过通有氮气的焊接炉（T_peak=440-460℃）常规退火，目的是将框架通过高温退火，使框架变软，减少应力；

步骤2）、刷胶组装工艺：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。本工艺中，将芯片吸盘分向是实现自动分向：将晶粒倒在硬纸板上，轻轻地上下颠簸3~5次，利用芯片P、N面金属不同的、其受力不一样的原理，使芯片的P面全部朝上，然后再将P面朝上的芯片用纸板集中拨到吸盘内，在轻摇吸盘，使吸盘自动落入吸孔内，减少人工；

步骤3）、焊接工艺：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉（T_peak=350-360℃）使芯片与框架焊接在一起。

本发明所得的产品，经检测，芯片表面为金属-半导体直接接触，故频率高，反向恢复时间短，Trr≤15ns，可靠性能好。 

主要技术指标为正向压降低VF≤0.82VIF=5A, IR≤5μΑ VR=200V。